Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
190 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
PG-TO263-3
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Režim kanálu
Vylepšení
Materiál tranzistoru
SiC
Počet prvků na čip
2
€ 1 262,50
€ 1,578 Each (On a Reel of 800) (bez DPH)
MOSFET IPB013N06NF2SATMA1 N-kanálový 190 A 60 V, PG-TO263-3, počet kolíků: 3 dvojitý SiC
800
€ 1 262,50
€ 1,578 Each (On a Reel of 800) (bez DPH)
MOSFET IPB013N06NF2SATMA1 N-kanálový 190 A 60 V, PG-TO263-3, počet kolíků: 3 dvojitý SiC
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
800
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
190 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
PG-TO263-3
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Režim kanálu
Vylepšení
Materiál tranzistoru
SiC
Počet prvků na čip
2


