řada: OptiMOS 5MOSFET IPB014N06NATMA1 N-kanálový 180 A 60 V, D2PAK-7, počet kolíků: 7 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
180 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
D2PAK-7
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
7
Maximální odpor kolektor/zdroj
2.1 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon
214 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
11.05mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
175 °C
Länge
10.31mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
106 nC při 10 V
Höhe
4.57mm
Řada
OptiMOS 5
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Podrobnosti o výrobku
Infineon OptiMOS™5 - výkonové tranzistory MOSF
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
P.O.A.
Each (In a Pack of 4) (bez DPH)
Štandardný
4
P.O.A.
Each (In a Pack of 4) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
4
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
180 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
D2PAK-7
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
7
Maximální odpor kolektor/zdroj
2.1 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon
214 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
11.05mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
175 °C
Länge
10.31mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
106 nC při 10 V
Höhe
4.57mm
Řada
OptiMOS 5
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Podrobnosti o výrobku
Infineon OptiMOS™5 - výkonové tranzistory MOSF
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products