Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
180 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
80 V
Gehäusegröße
TO263-5L
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
7
Maximální odpor kolektor/zdroj
3.3 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon
300 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
175 °C
Länge
10.31mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
155 nC při 10 V
Breite
9.45mm
Materiál tranzistoru
Si
Řada
OptiMOS 3
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Höhe
4.57mm
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
2
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Cievka)
2
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
180 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
80 V
Gehäusegröße
TO263-5L
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
7
Maximální odpor kolektor/zdroj
3.3 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon
300 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
175 °C
Länge
10.31mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
155 nC při 10 V
Breite
9.45mm
Materiál tranzistoru
Si
Řada
OptiMOS 3
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Höhe
4.57mm


