DÔLEŽITÉ OZNÁMENIE O ZMENE PRÁVNEHO SUBJEKTU

1. apríla meníme právnu subjektivitu na RS Components GmbH, nové číslo VAT , ako aj bankové údaje.

Kliknutím sem získate všetky potrebné informácie.

řada: OptiMOS 3MOSFET IPB020NE7N3GATMA1 N-kanálový 120 A 75 V, D2PAK (TO-263), počet kolíků: 3 Jednoduchý

Skladové číslo RS: 911-0897Značka: InfineonČíslo dielu výrobcu: IPB020NE7N3GATMA1
brand-logo
View all in MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

120 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

75 V

Gehäusegröße

D2PAK (TO-263)

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

2 m Ω

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

3.8V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

2.3V

Maximální ztrátový výkon

300 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Betriebstemperatur max.

175 °C

Breite

9.45mm

Počet prvků na čip

1

Länge

10.31mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

155 nC při 10 V

Höhe

4.57mm

Řada

OptiMOS 3

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Krajina pôvodu

China

Podrobnosti o výrobku

Infineon OptiMOS™3 - výkonové MOSFET, 60 až 80 V.

Produkty OptiMOS™ jsou k dispozici ve vysoce výkonných balíčcích, které se zabývají nejnáročnějšími aplikacemi a poskytují plnou flexibilitu v omezených prostorách. Tyto produkty Infineon jsou navrženy tak, aby splňovaly požadavky na energetickou účinnost a hustotu energie na základě naostřených standardů nové generace pro regulaci napětí v počítačových aplikacích.

Rychle přepínaný MOSFET pro SMPS
Optimalizovaná technologie pro měniče DC/DC
Kvalifikováno podle JEDEC1) pro cílové aplikace
N-kanál, logická úroveň
Vynikající náboj řídicí elektrody x součin R DS(on) (FOM)
Velice nízký spínací odpor R DS(on)
Povrchová vrstva bez obsahu olova

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

€ 2,88

Each (On a Reel of 1000) (bez DPH)

řada: OptiMOS 3MOSFET IPB020NE7N3GATMA1 N-kanálový 120 A 75 V, D2PAK (TO-263), počet kolíků: 3 Jednoduchý

€ 2,88

Each (On a Reel of 1000) (bez DPH)

řada: OptiMOS 3MOSFET IPB020NE7N3GATMA1 N-kanálový 120 A 75 V, D2PAK (TO-263), počet kolíků: 3 Jednoduchý
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

120 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

75 V

Gehäusegröße

D2PAK (TO-263)

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

2 m Ω

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

3.8V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

2.3V

Maximální ztrátový výkon

300 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Betriebstemperatur max.

175 °C

Breite

9.45mm

Počet prvků na čip

1

Länge

10.31mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

155 nC při 10 V

Höhe

4.57mm

Řada

OptiMOS 3

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Krajina pôvodu

China

Podrobnosti o výrobku

Infineon OptiMOS™3 - výkonové MOSFET, 60 až 80 V.

Produkty OptiMOS™ jsou k dispozici ve vysoce výkonných balíčcích, které se zabývají nejnáročnějšími aplikacemi a poskytují plnou flexibilitu v omezených prostorách. Tyto produkty Infineon jsou navrženy tak, aby splňovaly požadavky na energetickou účinnost a hustotu energie na základě naostřených standardů nové generace pro regulaci napětí v počítačových aplikacích.

Rychle přepínaný MOSFET pro SMPS
Optimalizovaná technologie pro měniče DC/DC
Kvalifikováno podle JEDEC1) pro cílové aplikace
N-kanál, logická úroveň
Vynikající náboj řídicí elektrody x součin R DS(on) (FOM)
Velice nízký spínací odpor R DS(on)
Povrchová vrstva bez obsahu olova

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more