řada: OptiMOS™ 3MOSFET IPB027N10N3GATMA1 N-kanálový 120 A 100 V, D2PAK (TO-263), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS: 825-9235PZnačka: InfineonČíslo dielu výrobcu: IPB027N10N3GATMA1
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

Infineon

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

120 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

100 V

Řada

OptiMOS™ 3

Gehäusegröße

D2PAK (TO-263)

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

4.5 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

3.5V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

2V

Maximální ztrátový výkon

300 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Breite

9.45mm

Materiál tranzistoru

Si

Počet prvků na čip

1

Länge

10.31mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

155 nC při 10 V

Maximální pracovní teplota

175 °C

Höhe

4.57mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Podrobnosti o výrobku

Infineon OptiMOS™3 - výkonové MOSFET, 100 V

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

€ 6,85

€ 3,425 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)

řada: OptiMOS™ 3MOSFET IPB027N10N3GATMA1 N-kanálový 120 A 100 V, D2PAK (TO-263), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Vyberte typ balenia

Výrobné balenie (Cievka)

Vyberte typ balenia

Štandardný - each

Dostupné v násobkoch 2.

Výroba -

Dostupné v násobkoch 2.

Odporúča sa objednávanie vo veľkých množstvách. Položky sú zabalené tak, aby boli pripravené na vloženie do strojových zariadení, čím umožňujú zvýšenie efektivity vo výrobe.

2

Dostupné v násobkoch 2
2€ 6,85
4€ 13,70
6€ 20,55
8€ 27,40
10€ 34,25
12€ 41,10
14€ 47,95
16€ 54,80
18€ 61,65
20€ 68,50
22€ 75,35
24€ 82,20
26€ 89,05
28€ 95,90
30€ 102,75

€ 6,85

€ 3,425 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)

řada: OptiMOS™ 3MOSFET IPB027N10N3GATMA1 N-kanálový 120 A 100 V, D2PAK (TO-263), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Vyberte typ balenia

Výrobné balenie (Cievka)

Vyberte typ balenia

Štandardný - each

Dostupné v násobkoch 2.

Výroba -

Dostupné v násobkoch 2.

Odporúča sa objednávanie vo veľkých množstvách. Položky sú zabalené tak, aby boli pripravené na vloženie do strojových zariadení, čím umožňujú zvýšenie efektivity vo výrobe.

2

Dostupné v násobkoch 2
2€ 6,85
4€ 13,70
6€ 20,55
8€ 27,40
10€ 34,25
12€ 41,10
14€ 47,95
16€ 54,80
18€ 61,65
20€ 68,50
22€ 75,35
24€ 82,20
26€ 89,05
28€ 95,90
30€ 102,75

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

Infineon

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

120 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

100 V

Řada

OptiMOS™ 3

Gehäusegröße

D2PAK (TO-263)

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

4.5 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

3.5V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

2V

Maximální ztrátový výkon

300 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Breite

9.45mm

Materiál tranzistoru

Si

Počet prvků na čip

1

Länge

10.31mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

155 nC při 10 V

Maximální pracovní teplota

175 °C

Höhe

4.57mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Podrobnosti o výrobku

Infineon OptiMOS™3 - výkonové MOSFET, 100 V

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more