řada: OptiMOS™ 3MOSFET IPB036N12N3GATMA1 N-kanálový 180 A 120 V, D2PAK-7, počet kolíků: 7 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS: 754-5428Značka: InfineonČíslo dielu výrobcu: IPB036N12N3GATMA1
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

Infineon

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

180 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

120 V

Gehäusegröße

D2PAK-7

Řada

OptiMOS™ 3

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

7

Maximální odpor kolektor/zdroj

3.6 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

4V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

2V

Maximální ztrátový výkon

300 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Maximální pracovní teplota

175 °C

Materiál tranzistoru

Si

Počet prvků na čip

1

Länge

10.31mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

158 nC při 10 V

Breite

9.45mm

Höhe

4.57mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Podrobnosti o výrobku

Infineon OptiMOS™3 - výkonové MOSFET, 100 V

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

€ 4,34

€ 4,34 Each (bez DPH)

řada: OptiMOS™ 3MOSFET IPB036N12N3GATMA1 N-kanálový 180 A 120 V, D2PAK-7, počet kolíků: 7 Jednoduchý Si
Vyberte typ balenia

Štandardný

Vyberte typ balenia

Štandardný - each

Dostupné v násobkoch 1.

Výroba -

Dostupné v násobkoch 1.

Odporúča sa objednávanie vo veľkých množstvách. Položky sú zabalené tak, aby boli pripravené na vloženie do strojových zariadení, čím umožňujú zvýšenie efektivity vo výrobe.

1

Dostupné v násobkoch 1
1€ 4,34
2€ 8,68
3€ 13,02
4€ 17,36
5€ 21,70
6€ 26,04
7€ 30,38
8€ 34,72
9€ 39,06
10€ 43,40
11€ 47,74
12€ 52,08
13€ 56,42
14€ 60,76
15€ 65,10

€ 4,34

€ 4,34 Each (bez DPH)

řada: OptiMOS™ 3MOSFET IPB036N12N3GATMA1 N-kanálový 180 A 120 V, D2PAK-7, počet kolíků: 7 Jednoduchý Si

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Vyberte typ balenia

Štandardný

Vyberte typ balenia

Štandardný - each

Dostupné v násobkoch 1.

Výroba -

Dostupné v násobkoch 1.

Odporúča sa objednávanie vo veľkých množstvách. Položky sú zabalené tak, aby boli pripravené na vloženie do strojových zariadení, čím umožňujú zvýšenie efektivity vo výrobe.

1

Dostupné v násobkoch 1
1€ 4,34
2€ 8,68
3€ 13,02
4€ 17,36
5€ 21,70
6€ 26,04
7€ 30,38
8€ 34,72
9€ 39,06
10€ 43,40
11€ 47,74
12€ 52,08
13€ 56,42
14€ 60,76
15€ 65,10

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

Infineon

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

180 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

120 V

Gehäusegröße

D2PAK-7

Řada

OptiMOS™ 3

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

7

Maximální odpor kolektor/zdroj

3.6 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

4V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

2V

Maximální ztrátový výkon

300 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Maximální pracovní teplota

175 °C

Materiál tranzistoru

Si

Počet prvků na čip

1

Länge

10.31mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

158 nC při 10 V

Breite

9.45mm

Höhe

4.57mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Podrobnosti o výrobku

Infineon OptiMOS™3 - výkonové MOSFET, 100 V

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more