řada: OptiMOS FDMOSFET IPB117N20NFDATMA1 N-kanálový 84 A 200 V, D2PAK (TO-263), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
84 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
200 V
Řada
OptiMOS FD
Gehäusegröße
D2PAK (TO-263)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
11.7 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
300 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Breite
9.45mm
Länge
10.31mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
65 nC při 10 V
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur max.
+170 °C
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Höhe
4.57mm
Krajina pôvodu
Malaysia
Podrobnosti o výrobku
Infineon OptiMOS™ FD Power MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 2 255,00
€ 2,255 Each (On a Reel of 1000) (bez DPH)
1000
€ 2 255,00
€ 2,255 Each (On a Reel of 1000) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
1000
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
84 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
200 V
Řada
OptiMOS FD
Gehäusegröße
D2PAK (TO-263)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
11.7 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
300 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Breite
9.45mm
Länge
10.31mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
65 nC při 10 V
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur max.
+170 °C
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Höhe
4.57mm
Krajina pôvodu
Malaysia
Podrobnosti o výrobku
Infineon OptiMOS™ FD Power MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products