Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
120 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
40 V
Řada
OptiMOS P
Gehäusegröße
D2PAK (TO-263)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
5,2 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.2V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.2V
Maximální ztrátový výkon
136 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-16 V, +16 V
Breite
9.25mm
Počet prvků na čip
1
Maximální pracovní teplota
175 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
10mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
180 nC při 10 V
Höhe
4.4mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Infineon OptiMOS™P-Channel výkonové tranzistory
Výkonové tranzistory MOSFET Infineon OptiMOS ™ P-Channel jsou navrženy tak, aby poskytovaly vylepšené funkce odpovídající kvalitnímu výkonu. Mezi funkce patří mimořádně nízká ztráta spínací úrovně, odolnost proti stavu, hodnocení Avalanche a také kvalifikace AEC pro automobilový průmysl. Aplikace zahrnují stejnosměrné napětí, řízení motoru, automobilový průmysl a elektronickou mobilitu.
Režim rozšíření
Lavinová funkčnost
Nízké spínací a vodičové ztráty výkonu
Pokovování bez olova PB; vyhovuje směrnici RoHS
Standardní balení
Řada P-Channel OptiMOS™: Rozsah teplot od -55 °C do +175 °C.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 1,92
Each (On a Reel of 1000) (bez DPH)
1000
€ 1,92
Each (On a Reel of 1000) (bez DPH)
1000
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
120 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
40 V
Řada
OptiMOS P
Gehäusegröße
D2PAK (TO-263)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
5,2 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.2V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.2V
Maximální ztrátový výkon
136 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-16 V, +16 V
Breite
9.25mm
Počet prvků na čip
1
Maximální pracovní teplota
175 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
10mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
180 nC při 10 V
Höhe
4.4mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Infineon OptiMOS™P-Channel výkonové tranzistory
Výkonové tranzistory MOSFET Infineon OptiMOS ™ P-Channel jsou navrženy tak, aby poskytovaly vylepšené funkce odpovídající kvalitnímu výkonu. Mezi funkce patří mimořádně nízká ztráta spínací úrovně, odolnost proti stavu, hodnocení Avalanche a také kvalifikace AEC pro automobilový průmysl. Aplikace zahrnují stejnosměrné napětí, řízení motoru, automobilový průmysl a elektronickou mobilitu.
Režim rozšíření
Lavinová funkčnost
Nízké spínací a vodičové ztráty výkonu
Pokovování bez olova PB; vyhovuje směrnici RoHS
Standardní balení
Řada P-Channel OptiMOS™: Rozsah teplot od -55 °C do +175 °C.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.