DÔLEŽITÉ OZNÁMENIE O ZMENE PRÁVNEHO SUBJEKTU

1. apríla meníme právnu subjektivitu na RS Components GmbH, nové číslo VAT , ako aj bankové údaje.

Kliknutím sem získate všetky potrebné informácie.

řada: OptiMOS PMOSFET IPB120P04P4L03ATMA1 P-kanálový 120 A 40 V, D2PAK (TO-263), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS: 124-8751Značka: InfineonČíslo dielu výrobcu: IPB120P04P4L-03
brand-logo
View all in MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

P

Maximální stejnosměrný odběrový proud

120 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

40 V

Řada

OptiMOS P

Gehäusegröße

D2PAK (TO-263)

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

5,2 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

2.2V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

1.2V

Maximální ztrátový výkon

136 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-16 V, +16 V

Breite

9.25mm

Počet prvků na čip

1

Betriebstemperatur max.

175 °C

Materiál tranzistoru

Si

Länge

10mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

180 nC při 10 V

Höhe

4.4mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Krajina pôvodu

China

Podrobnosti o výrobku

Infineon OptiMOS™P-Channel výkonové tranzistory

Výkonové tranzistory MOSFET Infineon OptiMOS ™ P-Channel jsou navrženy tak, aby poskytovaly vylepšené funkce odpovídající kvalitnímu výkonu. Mezi funkce patří mimořádně nízká ztráta spínací úrovně, odolnost proti stavu, hodnocení Avalanche a také kvalifikace AEC pro automobilový průmysl. Aplikace zahrnují stejnosměrné napětí, řízení motoru, automobilový průmysl a elektronickou mobilitu.

Režim rozšíření
Lavinová funkčnost
Nízké spínací a vodičové ztráty výkonu
Pokovování bez olova PB; vyhovuje směrnici RoHS
Standardní balení
Řada P-Channel OptiMOS™: Rozsah teplot od -55 °C do +175 °C.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

€ 1,92

Each (On a Reel of 1000) (bez DPH)

řada: OptiMOS PMOSFET IPB120P04P4L03ATMA1 P-kanálový 120 A 40 V, D2PAK (TO-263), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

€ 1,92

Each (On a Reel of 1000) (bez DPH)

řada: OptiMOS PMOSFET IPB120P04P4L03ATMA1 P-kanálový 120 A 40 V, D2PAK (TO-263), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

P

Maximální stejnosměrný odběrový proud

120 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

40 V

Řada

OptiMOS P

Gehäusegröße

D2PAK (TO-263)

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

5,2 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

2.2V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

1.2V

Maximální ztrátový výkon

136 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-16 V, +16 V

Breite

9.25mm

Počet prvků na čip

1

Betriebstemperatur max.

175 °C

Materiál tranzistoru

Si

Länge

10mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

180 nC při 10 V

Höhe

4.4mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Krajina pôvodu

China

Podrobnosti o výrobku

Infineon OptiMOS™P-Channel výkonové tranzistory

Výkonové tranzistory MOSFET Infineon OptiMOS ™ P-Channel jsou navrženy tak, aby poskytovaly vylepšené funkce odpovídající kvalitnímu výkonu. Mezi funkce patří mimořádně nízká ztráta spínací úrovně, odolnost proti stavu, hodnocení Avalanche a také kvalifikace AEC pro automobilový průmysl. Aplikace zahrnují stejnosměrné napětí, řízení motoru, automobilový průmysl a elektronickou mobilitu.

Režim rozšíření
Lavinová funkčnost
Nízké spínací a vodičové ztráty výkonu
Pokovování bez olova PB; vyhovuje směrnici RoHS
Standardní balení
Řada P-Channel OptiMOS™: Rozsah teplot od -55 °C do +175 °C.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more