Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
38 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
600 V
Gehäusegröße
D2PAK (TO-263)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
90 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon
278 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
4.57mm
Počet prvků na čip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
10.31mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
119 nC při 10 V
Höhe
9.45mm
Řada
CoolMOS C6
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
0.9V
Podrobnosti o výrobku
Infineon CoolMOS™C6/C7 Napájecí MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
1000
P.O.A.
1000
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
38 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
600 V
Gehäusegröße
D2PAK (TO-263)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
90 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon
278 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
4.57mm
Počet prvků na čip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
10.31mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
119 nC při 10 V
Höhe
9.45mm
Řada
CoolMOS C6
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
0.9V
Podrobnosti o výrobku
Infineon CoolMOS™C6/C7 Napájecí MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.