řada: OptiMOS™ 5MOSFET IPD025N06NATMA1 N-kanálový 90 A 60 V, DPAK (TO-252), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS: 906-4485PZnačka: InfineonČíslo dielu výrobcu: IPD025N06NATMA1
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

Infineon

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

90 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

60 V

Řada

OptiMOS™ 5

Gehäusegröße

DPAK (TO-252)

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

3.8 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální ztrátový výkon

167 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Breite

6.22mm

Materiál tranzistoru

Si

Počet prvků na čip

1

Länge

6.73mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

71 nC při 30 V

Maximální pracovní teplota

175 °C

Höhe

2.41mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Propustné napětí diody

1.2V

Podrobnosti o výrobku

Infineon OptiMOS™5 - výkonové tranzistory MOSF

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

€ 9,37

€ 2,342 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)

řada: OptiMOS™ 5MOSFET IPD025N06NATMA1 N-kanálový 90 A 60 V, DPAK (TO-252), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Vyberte typ balenia

Výrobné balenie (Cievka)

Vyberte typ balenia

Štandardný - each

Dostupné v násobkoch 4.

Výroba -

Dostupné v násobkoch 4.

Odporúča sa objednávanie vo veľkých množstvách. Položky sú zabalené tak, aby boli pripravené na vloženie do strojových zariadení, čím umožňujú zvýšenie efektivity vo výrobe.

4

Dostupné v násobkoch 4
4€ 9,37
8€ 18,74
12€ 28,11
16€ 37,48
20€ 46,85
24€ 56,22
28€ 65,59
32€ 74,96
36€ 84,33
40€ 93,70
44€ 103,07
48€ 112,44
52€ 121,81
56€ 131,18
60€ 140,55

€ 9,37

€ 2,342 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)

řada: OptiMOS™ 5MOSFET IPD025N06NATMA1 N-kanálový 90 A 60 V, DPAK (TO-252), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Vyberte typ balenia

Výrobné balenie (Cievka)

Vyberte typ balenia

Štandardný - each

Dostupné v násobkoch 4.

Výroba -

Dostupné v násobkoch 4.

Odporúča sa objednávanie vo veľkých množstvách. Položky sú zabalené tak, aby boli pripravené na vloženie do strojových zariadení, čím umožňujú zvýšenie efektivity vo výrobe.

4

Dostupné v násobkoch 4
4€ 9,37
8€ 18,74
12€ 28,11
16€ 37,48
20€ 46,85
24€ 56,22
28€ 65,59
32€ 74,96
36€ 84,33
40€ 93,70
44€ 103,07
48€ 112,44
52€ 121,81
56€ 131,18
60€ 140,55

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

Infineon

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

90 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

60 V

Řada

OptiMOS™ 5

Gehäusegröße

DPAK (TO-252)

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

3.8 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální ztrátový výkon

167 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Breite

6.22mm

Materiál tranzistoru

Si

Počet prvků na čip

1

Länge

6.73mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

71 nC při 30 V

Maximální pracovní teplota

175 °C

Höhe

2.41mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Propustné napětí diody

1.2V

Podrobnosti o výrobku

Infineon OptiMOS™5 - výkonové tranzistory MOSF

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more