Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
120 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
PG-TO252-3
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Režim kanálu
Vylepšení
Počet prvků na čip
2
Materiál tranzistoru
SiC
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 0,369
Each (On a Reel of 2000) (bez DPH)
MOSFET IPD038N06NF2SATMA1 N-kanálový 120 A 60 V, PG-TO252-3, počet kolíků: 3 dvojitý SiC
2000
€ 0,369
Each (On a Reel of 2000) (bez DPH)
MOSFET IPD038N06NF2SATMA1 N-kanálový 120 A 60 V, PG-TO252-3, počet kolíků: 3 dvojitý SiC
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
2000
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena | Cievka |
---|---|---|
2000 - 2000 | € 0,369 | € 737,76 |
4000+ | € 0,359 | € 718,65 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
120 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
PG-TO252-3
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Režim kanálu
Vylepšení
Počet prvků na čip
2
Materiál tranzistoru
SiC