Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
50 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
150 V
Řada
IPD200N15N3 G
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
20 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
150 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
20 V
Breite
9.45mm
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
175 °C
Länge
10.36mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
23 nC při 10 V
Höhe
4.57mm
Propustné napětí diody
1.2V
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 1,23
Each (On a Reel of 2500) (bez DPH)
2500
€ 1,23
Each (On a Reel of 2500) (bez DPH)
2500
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
50 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
150 V
Řada
IPD200N15N3 G
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
20 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
150 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
20 V
Breite
9.45mm
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
175 °C
Länge
10.36mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
23 nC při 10 V
Höhe
4.57mm
Propustné napětí diody
1.2V
Betriebstemperatur min.
-55 °C