Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
35 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Řada
IPD25CN10N G
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
26 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
71 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
20 V
Breite
7.47mm
Počet prvků na čip
1
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
23 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
175 °C
Länge
6.73mm
Höhe
2.41mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,49
Each (On a Reel of 2500) (bez DPH)
2500
€ 0,49
Each (On a Reel of 2500) (bez DPH)
2500
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
35 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Řada
IPD25CN10N G
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
26 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
71 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
20 V
Breite
7.47mm
Počet prvků na čip
1
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
23 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
175 °C
Länge
6.73mm
Höhe
2.41mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V