Aktuálne dodacie lehoty

Od 1. apríla 2025 vaše objednávky doručuje spoločnosť GLS. Všetky zásielky sa teraz budú doručovať cestnou dopravou. Väčšina objednávok bude doručená do 72 hodín.

Podrobné informácie

řada: OptiMOS™MOSFET IPD30N08S2L21ATMA1 N-kanálový 30 A 75 V, DPAK (TO-252), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS: 827-5120PZnačka: InfineonČíslo dielu výrobcu: IPD30N08S2L21ATMA1
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

30 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

75 V

Řada

OptiMOS™

Gehäusegröße

DPAK (TO-252)

Montage-Typ

Surface Mount

Počet kolíků

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

26 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

4V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

2.1V

Maximální ztrátový výkon

136 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Breite

6.22mm

Materiál tranzistoru

Si

Počet prvků na čip

1

Länge

6.73mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

56 nC při 10 V

Maximální pracovní teplota

175 °C

Höhe

2.41mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Podrobnosti o výrobku

Řada výkonových MOSFET Infineon OptiMOS™

Produkty OptiMOS™ jsou k dispozici ve vysoce výkonných balíčcích, které se zabývají nejnáročnějšími aplikacemi a poskytují plnou flexibilitu v omezených prostorách. Tyto produkty Infineon jsou navrženy tak, aby splňovaly požadavky na energetickou účinnost a hustotu energie na základě naostřených standardů nové generace pro regulaci napětí v počítačových aplikacích.

N-kanál – Režim rozlišení
Kvalifikováno pro automobilový průmysl AEC Q101
MSL1 až Peak 260°
Provozní teplota 175 °C
Zelené balení (bez olova)
Extrémně nízké Rds(on)

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

€ 50,40

€ 1,008 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)

řada: OptiMOS™MOSFET IPD30N08S2L21ATMA1 N-kanálový 30 A 75 V, DPAK (TO-252), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Vyberte typ balenia

€ 50,40

€ 1,008 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)

řada: OptiMOS™MOSFET IPD30N08S2L21ATMA1 N-kanálový 30 A 75 V, DPAK (TO-252), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Vyberte typ balenia

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

množstvoJednotková cenaCievka
50 - 100€ 1,008€ 25,20
125 - 225€ 0,945€ 23,63
250 - 600€ 0,882€ 22,06
625+€ 0,819€ 20,47

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

30 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

75 V

Řada

OptiMOS™

Gehäusegröße

DPAK (TO-252)

Montage-Typ

Surface Mount

Počet kolíků

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

26 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

4V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

2.1V

Maximální ztrátový výkon

136 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Breite

6.22mm

Materiál tranzistoru

Si

Počet prvků na čip

1

Länge

6.73mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

56 nC při 10 V

Maximální pracovní teplota

175 °C

Höhe

2.41mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Podrobnosti o výrobku

Řada výkonových MOSFET Infineon OptiMOS™

Produkty OptiMOS™ jsou k dispozici ve vysoce výkonných balíčcích, které se zabývají nejnáročnějšími aplikacemi a poskytují plnou flexibilitu v omezených prostorách. Tyto produkty Infineon jsou navrženy tak, aby splňovaly požadavky na energetickou účinnost a hustotu energie na základě naostřených standardů nové generace pro regulaci napětí v počítačových aplikacích.

N-kanál – Režim rozlišení
Kvalifikováno pro automobilový průmysl AEC Q101
MSL1 až Peak 260°
Provozní teplota 175 °C
Zelené balení (bez olova)
Extrémně nízké Rds(on)

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more