Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
30 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
75 V
Řada
OptiMOS™
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
26 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2.1V
Maximální ztrátový výkon
136 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
6.22mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
6.73mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
56 nC při 10 V
Maximální pracovní teplota
175 °C
Höhe
2.41mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
Řada výkonových MOSFET Infineon OptiMOS™
Produkty OptiMOS™ jsou k dispozici ve vysoce výkonných balíčcích, které se zabývají nejnáročnějšími aplikacemi a poskytují plnou flexibilitu v omezených prostorách. Tyto produkty Infineon jsou navrženy tak, aby splňovaly požadavky na energetickou účinnost a hustotu energie na základě naostřených standardů nové generace pro regulaci napětí v počítačových aplikacích.
N-kanál – Režim rozlišení
Kvalifikováno pro automobilový průmysl AEC Q101
MSL1 až Peak 260°
Provozní teplota 175 °C
Zelené balení (bez olova)
Extrémně nízké Rds(on)
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
€ 50,40
€ 1,008 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
50
€ 50,40
€ 1,008 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
50
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
množstvo | Jednotková cena | Cievka |
---|---|---|
50 - 100 | € 1,008 | € 25,20 |
125 - 225 | € 0,945 | € 23,63 |
250 - 600 | € 0,882 | € 22,06 |
625+ | € 0,819 | € 20,47 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
30 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
75 V
Řada
OptiMOS™
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
26 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2.1V
Maximální ztrátový výkon
136 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
6.22mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
6.73mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
56 nC při 10 V
Maximální pracovní teplota
175 °C
Höhe
2.41mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
Řada výkonových MOSFET Infineon OptiMOS™
Produkty OptiMOS™ jsou k dispozici ve vysoce výkonných balíčcích, které se zabývají nejnáročnějšími aplikacemi a poskytují plnou flexibilitu v omezených prostorách. Tyto produkty Infineon jsou navrženy tak, aby splňovaly požadavky na energetickou účinnost a hustotu energie na základě naostřených standardů nové generace pro regulaci napětí v počítačových aplikacích.
N-kanál – Režim rozlišení
Kvalifikováno pro automobilový průmysl AEC Q101
MSL1 až Peak 260°
Provozní teplota 175 °C
Zelené balení (bez olova)
Extrémně nízké Rds(on)
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.