řada: OptiMOS™-TMOSFET IPD30N10S3L34ATMA1 N-kanálový 30 A 100 V, DPAK (TO-252), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS: 753-3018Značka: InfineonČíslo dielu výrobcu: IPD30N10S3L34ATMA1Distrelec Article No.: 30408789
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

30 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

100 V

Gehäusegröße

DPAK (TO-252)

Řada

OptiMOS™-T

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

42 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

2.4V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

1.2V

Maximální ztrátový výkon

57 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Materiál tranzistoru

Si

Počet prvků na čip

1

Länge

6.5mm

Betriebstemperatur max.

175 °C

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

24 nC při 10 V

Breite

6.22mm

Höhe

2.3mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Podrobnosti o výrobku

Infineon OptiMOS™T - výkonové tranzistory

Produkty OptiMOS™ jsou k dispozici ve vysoce výkonných balíčcích, které se zabývají nejnáročnějšími aplikacemi a poskytují plnou flexibilitu v omezených prostorách. Tyto produkty Infineon jsou navrženy tak, aby splňovaly požadavky na energetickou účinnost a hustotu energie na základě naostřených standardů nové generace pro regulaci napětí v počítačových aplikacích.

N-kanál – Režim rozlišení
Kvalifikováno pro automobilový průmysl AEC Q101
MSL1 až Peak 260°
Provozní teplota 175 °C
Zelený výrobek (vyhovuje směrnici RoHS)

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

€ 8,70

€ 0,87 Each (In a Pack of 10) (bez DPH)

řada: OptiMOS™-TMOSFET IPD30N10S3L34ATMA1 N-kanálový 30 A 100 V, DPAK (TO-252), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Vyberte typ balenia

€ 8,70

€ 0,87 Each (In a Pack of 10) (bez DPH)

řada: OptiMOS™-TMOSFET IPD30N10S3L34ATMA1 N-kanálový 30 A 100 V, DPAK (TO-252), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Vyberte typ balenia

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

MnožstvoJednotková cenaBalík
10 - 20€ 0,87€ 8,70
30 - 120€ 0,666€ 6,66
130 - 620€ 0,542€ 5,42
630 - 1240€ 0,527€ 5,27
1250+€ 0,515€ 5,15

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

30 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

100 V

Gehäusegröße

DPAK (TO-252)

Řada

OptiMOS™-T

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

42 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

2.4V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

1.2V

Maximální ztrátový výkon

57 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Materiál tranzistoru

Si

Počet prvků na čip

1

Länge

6.5mm

Betriebstemperatur max.

175 °C

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

24 nC při 10 V

Breite

6.22mm

Höhe

2.3mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Podrobnosti o výrobku

Infineon OptiMOS™T - výkonové tranzistory

Produkty OptiMOS™ jsou k dispozici ve vysoce výkonných balíčcích, které se zabývají nejnáročnějšími aplikacemi a poskytují plnou flexibilitu v omezených prostorách. Tyto produkty Infineon jsou navrženy tak, aby splňovaly požadavky na energetickou účinnost a hustotu energie na základě naostřených standardů nové generace pro regulaci napětí v počítačových aplikacích.

N-kanál – Režim rozlišení
Kvalifikováno pro automobilový průmysl AEC Q101
MSL1 až Peak 260°
Provozní teplota 175 °C
Zelený výrobek (vyhovuje směrnici RoHS)

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more