řada: CoolMOS CEMOSFET IPD60R800CEAUMA1 N-kanálový 8,4 A 650 V, DPAK (TO-252), počet kolíků: 3
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
8.4 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
650 V
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
800 m Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Maximální ztrátový výkon
74 W
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Breite
6.22mm
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
6.73mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
17,2 nC při 10 V
Höhe
2.41mm
Řada
CoolMOS CE
Betriebstemperatur min.
-40 °C
Propustné napětí diody
0.9V
Podrobnosti o výrobku
Infineon CoolMOS™ CE Power MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,65
Each (In a Pack of 25) (bez DPH)
25
€ 0,65
Each (In a Pack of 25) (bez DPH)
25
Kúpiť hromadne
| množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 25 - 100 | € 0,65 | € 16,25 |
| 125 - 225 | € 0,62 | € 15,50 |
| 250 - 600 | € 0,59 | € 14,75 |
| 625 - 1225 | € 0,55 | € 13,75 |
| 1250+ | € 0,52 | € 13,00 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
8.4 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
650 V
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
800 m Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Maximální ztrátový výkon
74 W
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Breite
6.22mm
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
6.73mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
17,2 nC při 10 V
Höhe
2.41mm
Řada
CoolMOS CE
Betriebstemperatur min.
-40 °C
Propustné napětí diody
0.9V
Podrobnosti o výrobku
Infineon CoolMOS™ CE Power MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products