Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
90 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Řada
OptiMOS™ -T2
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
2,6 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.2V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
136 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-16 V, +16 V
Počet prvků na čip
1
Breite
6.22mm
Länge
6.5mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
110 nC při 10 V
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur max.
175 °C
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
2.3mm
Krajina pôvodu
Malaysia
Podrobnosti o výrobku
Infineon OptiMOS™ T2 - výkonové tranzistory MOSFET
Infineon má novou řadu energeticky úsporných tranzistorů MOSFET s redukcí CO2 a elektrickými jednotkami. Nová produktová řada OptiMOS™ -T2 rozšiřuje stávající řady produktů OptiMOS™ -T a OptiMOS™.
Produkty OptiMOS™ jsou k dispozici ve vysoce výkonných balíčcích, které se zabývají nejnáročnějšími aplikacemi a poskytují plnou flexibilitu v omezených prostorách. Tyto produkty Infineon jsou navrženy tak, aby splňovaly požadavky na energetickou účinnost a hustotu energie na základě naostřených standardů nové generace pro regulaci napětí v počítačových aplikacích.
N-kanál – Režim rozlišení
Kvalifikováno pro AEC
MSL1 až Peak 260°
Provozní teplota 175 °C
Zelený výrobek (vyhovuje směrnici RoHS)
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
€ 1 731,00
€ 0,692 Each (On a Reel of 2500) (bez DPH)
2500
€ 1 731,00
€ 0,692 Each (On a Reel of 2500) (bez DPH)
2500
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
90 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Řada
OptiMOS™ -T2
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
2,6 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.2V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
136 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-16 V, +16 V
Počet prvků na čip
1
Breite
6.22mm
Länge
6.5mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
110 nC při 10 V
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur max.
175 °C
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
2.3mm
Krajina pôvodu
Malaysia
Podrobnosti o výrobku
Infineon OptiMOS™ T2 - výkonové tranzistory MOSFET
Infineon má novou řadu energeticky úsporných tranzistorů MOSFET s redukcí CO2 a elektrickými jednotkami. Nová produktová řada OptiMOS™ -T2 rozšiřuje stávající řady produktů OptiMOS™ -T a OptiMOS™.
Produkty OptiMOS™ jsou k dispozici ve vysoce výkonných balíčcích, které se zabývají nejnáročnějšími aplikacemi a poskytují plnou flexibilitu v omezených prostorách. Tyto produkty Infineon jsou navrženy tak, aby splňovaly požadavky na energetickou účinnost a hustotu energie na základě naostřených standardů nové generace pro regulaci napětí v počítačových aplikacích.
N-kanál – Režim rozlišení
Kvalifikováno pro AEC
MSL1 až Peak 260°
Provozní teplota 175 °C
Zelený výrobek (vyhovuje směrnici RoHS)
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.