Aktuálne dodacie lehoty

Od 1. apríla 2025 vaše objednávky doručuje spoločnosť GLS. Všetky zásielky sa teraz budú doručovať cestnou dopravou. Väčšina objednávok bude doručená do 72 hodín.

Podrobné informácie

řada: OptiMOS™ -T2MOSFET IPD90N03S4L02ATMA1 N-kanálový 90 A 30 V, DPAK (TO-252), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS: 165-5602Značka: InfineonČíslo dielu výrobcu: IPD90N03S4L-02
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

90 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

30 V

Řada

OptiMOS™ -T2

Gehäusegröße

DPAK (TO-252)

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

2,6 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

2.2V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

1V

Maximální ztrátový výkon

136 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-16 V, +16 V

Počet prvků na čip

1

Breite

6.22mm

Länge

6.5mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

110 nC při 10 V

Materiál tranzistoru

Si

Betriebstemperatur max.

175 °C

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

2.3mm

Krajina pôvodu

Malaysia

Podrobnosti o výrobku

Infineon OptiMOS™ T2 - výkonové tranzistory MOSFET

Infineon má novou řadu energeticky úsporných tranzistorů MOSFET s redukcí CO2 a elektrickými jednotkami. Nová produktová řada OptiMOS™ -T2 rozšiřuje stávající řady produktů OptiMOS™ -T a OptiMOS™.

Produkty OptiMOS™ jsou k dispozici ve vysoce výkonných balíčcích, které se zabývají nejnáročnějšími aplikacemi a poskytují plnou flexibilitu v omezených prostorách. Tyto produkty Infineon jsou navrženy tak, aby splňovaly požadavky na energetickou účinnost a hustotu energie na základě naostřených standardů nové generace pro regulaci napětí v počítačových aplikacích.

N-kanál – Režim rozlišení
Kvalifikováno pro AEC
MSL1 až Peak 260°
Provozní teplota 175 °C
Zelený výrobek (vyhovuje směrnici RoHS)

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

€ 1 731,00

€ 0,692 Each (On a Reel of 2500) (bez DPH)

řada: OptiMOS™ -T2MOSFET IPD90N03S4L02ATMA1 N-kanálový 90 A 30 V, DPAK (TO-252), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

€ 1 731,00

€ 0,692 Each (On a Reel of 2500) (bez DPH)

řada: OptiMOS™ -T2MOSFET IPD90N03S4L02ATMA1 N-kanálový 90 A 30 V, DPAK (TO-252), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

90 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

30 V

Řada

OptiMOS™ -T2

Gehäusegröße

DPAK (TO-252)

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

2,6 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

2.2V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

1V

Maximální ztrátový výkon

136 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-16 V, +16 V

Počet prvků na čip

1

Breite

6.22mm

Länge

6.5mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

110 nC při 10 V

Materiál tranzistoru

Si

Betriebstemperatur max.

175 °C

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

2.3mm

Krajina pôvodu

Malaysia

Podrobnosti o výrobku

Infineon OptiMOS™ T2 - výkonové tranzistory MOSFET

Infineon má novou řadu energeticky úsporných tranzistorů MOSFET s redukcí CO2 a elektrickými jednotkami. Nová produktová řada OptiMOS™ -T2 rozšiřuje stávající řady produktů OptiMOS™ -T a OptiMOS™.

Produkty OptiMOS™ jsou k dispozici ve vysoce výkonných balíčcích, které se zabývají nejnáročnějšími aplikacemi a poskytují plnou flexibilitu v omezených prostorách. Tyto produkty Infineon jsou navrženy tak, aby splňovaly požadavky na energetickou účinnost a hustotu energie na základě naostřených standardů nové generace pro regulaci napětí v počítačových aplikacích.

N-kanál – Režim rozlišení
Kvalifikováno pro AEC
MSL1 až Peak 260°
Provozní teplota 175 °C
Zelený výrobek (vyhovuje směrnici RoHS)

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more