Aktuálne dodacie lehoty

Od 1. apríla 2025 vaše objednávky doručuje spoločnosť GLS. Všetky zásielky sa teraz budú doručovať cestnou dopravou. Väčšina objednávok bude doručená do 72 hodín.

Podrobné informácie

řada: OptiMOS PMOSFET IPD90P03P4L04ATMA1 P-kanálový 90 A 30 V, DPAK (TO-252), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS: 753-3033Značka: InfineonČíslo dielu výrobcu: IPD90P03P4L-04
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

P

Maximální stejnosměrný odběrový proud

90 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

30 V

Řada

OptiMOS P

Gehäusegröße

DPAK (TO-252)

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

6,8 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

2V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

1V

Maximální ztrátový výkon

137 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-16 V, +5 V

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

125 nC při 10 V

Breite

6.22mm

Materiál tranzistoru

Si

Počet prvků na čip

1

Länge

6.5mm

Betriebstemperatur max.

175 °C

Höhe

2.3mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Podrobnosti o výrobku

Infineon OptiMOS™P-Channel výkonové tranzistory

Výkonové tranzistory MOSFET Infineon OptiMOS ™ P-Channel jsou navrženy tak, aby poskytovaly vylepšené funkce odpovídající kvalitnímu výkonu. Mezi funkce patří mimořádně nízká ztráta spínací úrovně, odolnost proti stavu, hodnocení Avalanche a také kvalifikace AEC pro automobilový průmysl. Aplikace zahrnují stejnosměrné napětí, řízení motoru, automobilový průmysl a elektronickou mobilitu.

Režim rozšíření
Lavinová funkčnost
Nízké spínací a vodičové ztráty výkonu
Pokovování bez olova PB; vyhovuje směrnici RoHS
Standardní balení
Řada P-Channel OptiMOS™: Rozsah teplot od -55 °C do +175 °C.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

€ 8,47

€ 1,694 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)

řada: OptiMOS PMOSFET IPD90P03P4L04ATMA1 P-kanálový 90 A 30 V, DPAK (TO-252), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Vyberte typ balenia

€ 8,47

€ 1,694 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)

řada: OptiMOS PMOSFET IPD90P03P4L04ATMA1 P-kanálový 90 A 30 V, DPAK (TO-252), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Vyberte typ balenia

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

P

Maximální stejnosměrný odběrový proud

90 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

30 V

Řada

OptiMOS P

Gehäusegröße

DPAK (TO-252)

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

6,8 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

2V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

1V

Maximální ztrátový výkon

137 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-16 V, +5 V

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

125 nC při 10 V

Breite

6.22mm

Materiál tranzistoru

Si

Počet prvků na čip

1

Länge

6.5mm

Betriebstemperatur max.

175 °C

Höhe

2.3mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Podrobnosti o výrobku

Infineon OptiMOS™P-Channel výkonové tranzistory

Výkonové tranzistory MOSFET Infineon OptiMOS ™ P-Channel jsou navrženy tak, aby poskytovaly vylepšené funkce odpovídající kvalitnímu výkonu. Mezi funkce patří mimořádně nízká ztráta spínací úrovně, odolnost proti stavu, hodnocení Avalanche a také kvalifikace AEC pro automobilový průmysl. Aplikace zahrnují stejnosměrné napětí, řízení motoru, automobilový průmysl a elektronickou mobilitu.

Režim rozšíření
Lavinová funkčnost
Nízké spínací a vodičové ztráty výkonu
Pokovování bez olova PB; vyhovuje směrnici RoHS
Standardní balení
Řada P-Channel OptiMOS™: Rozsah teplot od -55 °C do +175 °C.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more