řada: OptiMOSMOSFET IPG20N06S4L26ATMA1 N-kanálový 20 A 60 V, TDSON, počet kolíků: 8 dvojitý Izolovaný Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
20 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
TDSON
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
46 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.2V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.2V
Maximální ztrátový výkon
33 W
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-16 V, +16 V
Maximální pracovní teplota
175 °C
Länge
5.15mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
15 nC při 10 V
Breite
5.9mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
2
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.3V
Höhe
0.75mm
Řada
OptiMOS
Podrobnosti o výrobku
Infineon OptiMOS™ Dual Power MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
20
P.O.A.
20
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
20 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
TDSON
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
46 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.2V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.2V
Maximální ztrátový výkon
33 W
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-16 V, +16 V
Maximální pracovní teplota
175 °C
Länge
5.15mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
15 nC při 10 V
Breite
5.9mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
2
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.3V
Höhe
0.75mm
Řada
OptiMOS
Podrobnosti o výrobku
Infineon OptiMOS™ Dual Power MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products