řada: OptiMOS™ 3MOSFET IPI086N10N3GXKSA1 N-kanálový 80 A 100 V, I2PAK (TO-262), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
80 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Řada
OptiMOS™ 3
Gehäusegröße
I2PAK (TO-262)
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
15.4 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
125 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
4.572mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
10.36mm
Maximální pracovní teplota
175 °C
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
42 nC při 10 V
Höhe
11.177mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Podrobnosti o výrobku
Infineon OptiMOS™3 - výkonové MOSFET, 100 V
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 8,02
€ 1,604 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Štandardný
5
€ 8,02
€ 1,604 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
5
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
80 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Řada
OptiMOS™ 3
Gehäusegröße
I2PAK (TO-262)
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
15.4 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
125 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
4.572mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
10.36mm
Maximální pracovní teplota
175 °C
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
42 nC při 10 V
Höhe
11.177mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Podrobnosti o výrobku
Infineon OptiMOS™3 - výkonové MOSFET, 100 V
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products