řada: OptiMOS 2MOSFET IPP05CN10NGXKSA1 N-kanálový 100 A 100 V, TO-220, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
100 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
5,4 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon
300 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Maximální pracovní teplota
175 °C
Länge
10.36mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
136 nC při 10 V
Breite
4.57mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Propustné napětí diody
1.2V
Höhe
15.95mm
Řada
OptiMOS 2
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
Řada výkonových MOSFET Infineon OptiMOS™2
Řada N-Channel společnosti Infineon nabízí nejnižší odolnost v terénu uvnitř napěťové skupiny. Řadu výkonových MOSFET lze použít v mnoha aplikacích, včetně vysokofrekvenčních telekomunikačních, datových center, solárních, nízkonapěťových jednotek a napájecích zdrojů serverů. Produktová řada OptiMOS 2 se pohybuje od 20 V a více a nabízí výběr různých typů balíčků.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
P.O.A.
Each (In a Pack of 4) (bez DPH)
Štandardný
4
P.O.A.
Each (In a Pack of 4) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
4
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
100 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
5,4 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon
300 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Maximální pracovní teplota
175 °C
Länge
10.36mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
136 nC při 10 V
Breite
4.57mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Propustné napětí diody
1.2V
Höhe
15.95mm
Řada
OptiMOS 2
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
Řada výkonových MOSFET Infineon OptiMOS™2
Řada N-Channel společnosti Infineon nabízí nejnižší odolnost v terénu uvnitř napěťové skupiny. Řadu výkonových MOSFET lze použít v mnoha aplikacích, včetně vysokofrekvenčních telekomunikačních, datových center, solárních, nízkonapěťových jednotek a napájecích zdrojů serverů. Produktová řada OptiMOS 2 se pohybuje od 20 V a více a nabízí výběr různých typů balíčků.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products