řada: OptiMOS™ 3Tranzistor MOSFET IPP110N20N3GXKSA1 N-kanálový 88 A 200 V, TO-220, počet kolíků: 3
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
88 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
200 V
Gehäusegröße
TO-220AB
Řada
OptiMOS™ 3
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
11 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
300 W
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Länge
10.36mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
65 nC při 10 V
Maximální pracovní teplota
175 °C
Počet prvků na čip
1
Breite
4.57mm
Höhe
9.45mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
Germany
Podrobnosti o výrobku
Infineon OptiMOS™3 - výkonové MOSFET, 100 V
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 283,62
€ 5,672 Each (In a Tube of 50) (bez DPH)
50
€ 283,62
€ 5,672 Each (In a Tube of 50) (bez DPH)
50
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
88 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
200 V
Gehäusegröße
TO-220AB
Řada
OptiMOS™ 3
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
11 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
300 W
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Länge
10.36mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
65 nC při 10 V
Maximální pracovní teplota
175 °C
Počet prvků na čip
1
Breite
4.57mm
Höhe
9.45mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
Germany
Podrobnosti o výrobku
Infineon OptiMOS™3 - výkonové MOSFET, 100 V
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products