Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
20 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
650 V
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
190 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
3.5V
Maximální ztrátový výkon
151 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Šířka
4.57mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
10.36mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
37 nC při 10 V
Höhe
15.95mm
Řada
CoolMOS P6
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
0.9V
Podrobnosti o výrobku
Infineon CoolMOS™E6/P6 - výkonový MOSFET
Řada Infineon MOSFET řady CoolMOS ™ E6 a P6. Tato vysoce účinná zařízení lze používat v několika aplikacích, včetně korekce účiníku (PFC), osvětlení a spotřebního zařízení a také v solárních, telekomunikačních a serverech.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
Štandardný
5
P.O.A.
Štandardný
5
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
20 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
650 V
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
190 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
3.5V
Maximální ztrátový výkon
151 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Šířka
4.57mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
10.36mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
37 nC při 10 V
Höhe
15.95mm
Řada
CoolMOS P6
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
0.9V
Podrobnosti o výrobku
Infineon CoolMOS™E6/P6 - výkonový MOSFET
Řada Infineon MOSFET řady CoolMOS ™ E6 a P6. Tato vysoce účinná zařízení lze používat v několika aplikacích, včetně korekce účiníku (PFC), osvětlení a spotřebního zařízení a také v solárních, telekomunikačních a serverech.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.