řada: OptiMOS™MOSFET IPP80N08S2L07AKSA1 N-kanálový 80 A 75 V, TO-220, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS: 857-7000Značka: InfineonČíslo dielu výrobcu: IPP80N08S2L07AKSA1
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

Infineon

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

80 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

75 V

Řada

OptiMOS™

Gehäusegröße

TO-220AB

Montage-Typ

Through Hole

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

6,8 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

2V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

1.2V

Maximální ztrátový výkon

300 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Breite

4.57mm

Materiál tranzistoru

Si

Počet prvků na čip

1

Länge

10.36mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

183 nC při 10 V

Maximální pracovní teplota

175 °C

Höhe

15.95mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Podrobnosti o výrobku

Řada výkonových MOSFET Infineon OptiMOS™

Produkty OptiMOS™ jsou k dispozici ve vysoce výkonných balíčcích, které se zabývají nejnáročnějšími aplikacemi a poskytují plnou flexibilitu v omezených prostorách. Tyto produkty Infineon jsou navrženy tak, aby splňovaly požadavky na energetickou účinnost a hustotu energie na základě naostřených standardů nové generace pro regulaci napětí v počítačových aplikacích.

N-kanál – Režim rozlišení
Kvalifikováno pro automobilový průmysl AEC Q101
MSL1 až Peak 260°
Provozní teplota 175 °C
Zelené balení (bez olova)
Extrémně nízké Rds(on)

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

€ 2 183,26

€ 4,367 Each (In a Tube of 500) (bez DPH)

řada: OptiMOS™MOSFET IPP80N08S2L07AKSA1 N-kanálový 80 A 75 V, TO-220, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

500

Dostupné v násobkoch 500
500€ 2 183,26
1000€ 4 366,52
1500€ 6 549,78
2000€ 8 733,04
2500€ 10 916,30
3000€ 13 099,56
3500€ 15 282,82
4000€ 17 466,08
4500€ 19 649,34
5000€ 21 832,60
5500€ 24 015,86
6000€ 26 199,12
6500€ 28 382,38
7000€ 30 565,64
7500€ 32 748,90

€ 2 183,26

€ 4,367 Each (In a Tube of 500) (bez DPH)

řada: OptiMOS™MOSFET IPP80N08S2L07AKSA1 N-kanálový 80 A 75 V, TO-220, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

500

Dostupné v násobkoch 500
500€ 2 183,26
1000€ 4 366,52
1500€ 6 549,78
2000€ 8 733,04
2500€ 10 916,30
3000€ 13 099,56
3500€ 15 282,82
4000€ 17 466,08
4500€ 19 649,34
5000€ 21 832,60
5500€ 24 015,86
6000€ 26 199,12
6500€ 28 382,38
7000€ 30 565,64
7500€ 32 748,90

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

Infineon

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

80 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

75 V

Řada

OptiMOS™

Gehäusegröße

TO-220AB

Montage-Typ

Through Hole

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

6,8 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

2V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

1.2V

Maximální ztrátový výkon

300 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Breite

4.57mm

Materiál tranzistoru

Si

Počet prvků na čip

1

Länge

10.36mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

183 nC při 10 V

Maximální pracovní teplota

175 °C

Höhe

15.95mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Podrobnosti o výrobku

Řada výkonových MOSFET Infineon OptiMOS™

Produkty OptiMOS™ jsou k dispozici ve vysoce výkonných balíčcích, které se zabývají nejnáročnějšími aplikacemi a poskytují plnou flexibilitu v omezených prostorách. Tyto produkty Infineon jsou navrženy tak, aby splňovaly požadavky na energetickou účinnost a hustotu energie na základě naostřených standardů nové generace pro regulaci napětí v počítačových aplikacích.

N-kanál – Režim rozlišení
Kvalifikováno pro automobilový průmysl AEC Q101
MSL1 až Peak 260°
Provozní teplota 175 °C
Zelené balení (bez olova)
Extrémně nízké Rds(on)

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more