DÔLEŽITÉ OZNÁMENIE O ZMENE PRÁVNEHO SUBJEKTU

1. apríla meníme právnu subjektivitu na RS Components GmbH, nové číslo VAT , ako aj bankové údaje.

Kliknutím sem získate všetky potrebné informácie.

řada: OptiMOS PMOSFET IPP80P03P4L04AKSA1 P-kanálový 80 A 30 V, TO-220, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS: 124-9058Značka: InfineonČíslo dielu výrobcu: IPP80P03P4L04AKSA1
brand-logo
View all in MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

P

Maximální stejnosměrný odběrový proud

80 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

30 V

Gehäusegröße

TO-220AB

Řada

OptiMOS P

Montage-Typ

Through Hole

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

7 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

2V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

1V

Maximální ztrátový výkon

137 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-16 V, +5 V

Maximální pracovní teplota

175 °C

Materiál tranzistoru

Si

Länge

10mm

Breite

4.4mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

125 nC při 10 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

15.65mm

Krajina pôvodu

Malaysia

Podrobnosti o výrobku

Infineon OptiMOS™P-Channel výkonové tranzistory

Výkonové tranzistory MOSFET Infineon OptiMOS ™ P-Channel jsou navrženy tak, aby poskytovaly vylepšené funkce odpovídající kvalitnímu výkonu. Mezi funkce patří mimořádně nízká ztráta spínací úrovně, odolnost proti stavu, hodnocení Avalanche a také kvalifikace AEC pro automobilový průmysl. Aplikace zahrnují stejnosměrné napětí, řízení motoru, automobilový průmysl a elektronickou mobilitu.

Režim rozšíření
Lavinová funkčnost
Nízké spínací a vodičové ztráty výkonu
Pokovování bez olova PB; vyhovuje směrnici RoHS
Standardní balení
Řada P-Channel OptiMOS™: Rozsah teplot od -55 °C do +175 °C.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

€ 1,37

Each (In a Tube of 50) (bez DPH)

řada: OptiMOS PMOSFET IPP80P03P4L04AKSA1 P-kanálový 80 A 30 V, TO-220, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

€ 1,37

Each (In a Tube of 50) (bez DPH)

řada: OptiMOS PMOSFET IPP80P03P4L04AKSA1 P-kanálový 80 A 30 V, TO-220, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Kúpiť hromadne

množstvoJednotková cenaTuba
50 - 50€ 1,37€ 68,50
100 - 200€ 1,23€ 61,50
250+€ 1,16€ 58,00

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

P

Maximální stejnosměrný odběrový proud

80 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

30 V

Gehäusegröße

TO-220AB

Řada

OptiMOS P

Montage-Typ

Through Hole

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

7 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

2V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

1V

Maximální ztrátový výkon

137 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-16 V, +5 V

Maximální pracovní teplota

175 °C

Materiál tranzistoru

Si

Länge

10mm

Breite

4.4mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

125 nC při 10 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

15.65mm

Krajina pôvodu

Malaysia

Podrobnosti o výrobku

Infineon OptiMOS™P-Channel výkonové tranzistory

Výkonové tranzistory MOSFET Infineon OptiMOS ™ P-Channel jsou navrženy tak, aby poskytovaly vylepšené funkce odpovídající kvalitnímu výkonu. Mezi funkce patří mimořádně nízká ztráta spínací úrovně, odolnost proti stavu, hodnocení Avalanche a také kvalifikace AEC pro automobilový průmysl. Aplikace zahrnují stejnosměrné napětí, řízení motoru, automobilový průmysl a elektronickou mobilitu.

Režim rozšíření
Lavinová funkčnost
Nízké spínací a vodičové ztráty výkonu
Pokovování bez olova PB; vyhovuje směrnici RoHS
Standardní balení
Řada P-Channel OptiMOS™: Rozsah teplot od -55 °C do +175 °C.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more