řada: OptiMOS 3MOSFET IPT020N10N3ATMA1 N-kanálový 300 A 100 V, HSOF-8, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
300 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Gehäusegröße
HSOF-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
3.7 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon
375 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
156 nC při 10 V
Maximální pracovní teplota
175 °C
Breite
10.1mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Materiál tranzistoru
Si
Länge
10.58mm
Propustné napětí diody
1V
Höhe
2.4mm
Řada
OptiMOS 3
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
Infineon OptiMOS™3 - výkonové MOSFET, 100 V
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 4,26
Each (On a Reel of 2000) (bez DPH)
2000
€ 4,26
Each (On a Reel of 2000) (bez DPH)
2000
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
300 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Gehäusegröße
HSOF-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
3.7 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon
375 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
156 nC při 10 V
Maximální pracovní teplota
175 °C
Breite
10.1mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Materiál tranzistoru
Si
Länge
10.58mm
Propustné napětí diody
1V
Höhe
2.4mm
Řada
OptiMOS 3
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
Infineon OptiMOS™3 - výkonové MOSFET, 100 V
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products