Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
20 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
650 V
Řada
CoolMOS™ P6
Gehäusegröße
TO-247
Montage-Typ
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
190 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
3.5V
Maximální ztrátový výkon
151 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Počet prvků na čip
1
Länge
16.13mm
Breite
5.21mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
37 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Propustné napětí diody
0.9V
Höhe
21.1mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
Infineon CoolMOS™E6/P6 - výkonový MOSFET
Řada Infineon MOSFET řady CoolMOS ™ E6 a P6. Tato vysoce účinná zařízení lze používat v několika aplikacích, včetně korekce účiníku (PFC), osvětlení a spotřebního zařízení a také v solárních, telekomunikačních a serverech.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
€ 15,83
€ 3,166 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Štandardný
5
€ 15,83
€ 3,166 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Štandardný
5
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
množstvo | Jednotková cena | Balík |
---|---|---|
5 - 20 | € 3,166 | € 15,83 |
25 - 45 | € 2,534 | € 12,67 |
50 - 120 | € 2,344 | € 11,72 |
125 - 245 | € 2,186 | € 10,93 |
250+ | € 2,028 | € 10,14 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
20 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
650 V
Řada
CoolMOS™ P6
Gehäusegröße
TO-247
Montage-Typ
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
190 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
3.5V
Maximální ztrátový výkon
151 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Počet prvků na čip
1
Länge
16.13mm
Breite
5.21mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
37 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Propustné napětí diody
0.9V
Höhe
21.1mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
Infineon CoolMOS™E6/P6 - výkonový MOSFET
Řada Infineon MOSFET řady CoolMOS ™ E6 a P6. Tato vysoce účinná zařízení lze používat v několika aplikacích, včetně korekce účiníku (PFC), osvětlení a spotřebního zařízení a také v solárních, telekomunikačních a serverech.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.