řada: CoolMOS C7MOSFET IPZ65R019C7XKSA1 N-kanálový 75 A 700 V, TO-247, počet kolíků: 4 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
75 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
700 V
Gehäusegröße
TO-247
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
4
Maximální odpor kolektor/zdroj
19 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon
446 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Breite
21.1mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
16.13mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
215 nC při 10 V
Höhe
5.21mm
Řada
CoolMOS C7
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
0.9V
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Infineon CoolMOS™C6/C7 Napájecí MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
30
P.O.A.
30
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
75 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
700 V
Gehäusegröße
TO-247
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
4
Maximální odpor kolektor/zdroj
19 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon
446 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Breite
21.1mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
16.13mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
215 nC při 10 V
Höhe
5.21mm
Řada
CoolMOS C7
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
0.9V
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Infineon CoolMOS™C6/C7 Napájecí MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products