Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
84 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
D2PAK (TO-263)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
8.5 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
140 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
±20 V
Breite
9.65mm
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
175 °C
Länge
10.67mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
58 nC při 10 V
Höhe
4.83mm
Řada
IRF1010EZS
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.3V
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
10
P.O.A.
10
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
84 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
D2PAK (TO-263)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
8.5 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
140 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
±20 V
Breite
9.65mm
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
175 °C
Länge
10.67mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
58 nC při 10 V
Höhe
4.83mm
Řada
IRF1010EZS
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.3V