řada: HEXFETMOSFET IRF1010ZSTRLPBF N-kanálový 94 A 55 V, D2PAK (TO-263), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS: 915-4923PZnačka: InfineonČíslo dielu výrobcu: IRF1010ZSTRLPBF
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

94 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

55 V

Gehäusegröße

D2PAK (TO-263)

Řada

HEXFET

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

7,5 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

4V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

2V

Maximální ztrátový výkon

140 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Materiál tranzistoru

Si

Länge

10.67mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

63 nC při 10 V

Maximální pracovní teplota

175 °C

Počet prvků na čip

1

Breite

11.3mm

Höhe

4.83mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Propustné napětí diody

1.3V

Podrobnosti o výrobku

N-kanálový výkon MOSFET 55 V, Infineon

Řada diskrétních tranzistorů MOSFET HEXFET® společnosti Infineon zahrnuje zařízení N-channel v povrchové montáži a v olovnatých obalech a v provedení, které mohou řešit téměř všechny problémy s rozvržením desek a tepelným designem. Napříč měřítkem rozsahu rezistence vede ke ztrátám vedení, což návrhářům umožňuje zajistit optimální účinnost systému.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

€ 73,55

€ 1,471 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)

řada: HEXFETMOSFET IRF1010ZSTRLPBF N-kanálový 94 A 55 V, D2PAK (TO-263), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Vyberte typ balenia

€ 73,55

€ 1,471 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)

řada: HEXFETMOSFET IRF1010ZSTRLPBF N-kanálový 94 A 55 V, D2PAK (TO-263), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Vyberte typ balenia

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

MnožstvoJednotková cenaCievka
50 - 90€ 1,471€ 14,71
100 - 240€ 1,409€ 14,09
250 - 490€ 1,346€ 13,46
500+€ 0,852€ 8,52

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

94 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

55 V

Gehäusegröße

D2PAK (TO-263)

Řada

HEXFET

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

7,5 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

4V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

2V

Maximální ztrátový výkon

140 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Materiál tranzistoru

Si

Länge

10.67mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

63 nC při 10 V

Maximální pracovní teplota

175 °C

Počet prvků na čip

1

Breite

11.3mm

Höhe

4.83mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Propustné napětí diody

1.3V

Podrobnosti o výrobku

N-kanálový výkon MOSFET 55 V, Infineon

Řada diskrétních tranzistorů MOSFET HEXFET® společnosti Infineon zahrnuje zařízení N-channel v povrchové montáži a v olovnatých obalech a v provedení, které mohou řešit téměř všechny problémy s rozvržením desek a tepelným designem. Napříč měřítkem rozsahu rezistence vede ke ztrátám vedení, což návrhářům umožňuje zajistit optimální účinnost systému.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more