Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
110 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
55 V
Řada
HEXFET
Gehäusegröße
D2PAK (TO-263)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
0.0065 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Počet prvků na čip
1
Materiál tranzistoru
Silicon
€ 67,55
€ 1,351 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
50
€ 67,55
€ 1,351 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Cievka)
50
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
| Množstvo | Jednotková cena | Cievka |
|---|---|---|
| 50 - 90 | € 1,351 | € 13,51 |
| 100 - 240 | € 1,294 | € 12,94 |
| 250 - 490 | € 1,237 | € 12,37 |
| 500+ | € 1,152 | € 11,52 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
110 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
55 V
Řada
HEXFET
Gehäusegröße
D2PAK (TO-263)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
0.0065 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Počet prvků na čip
1
Materiál tranzistoru
Silicon


