řada: HEXFETMOSFET IRF5210STRLPBF P-kanálový 38 A 100 V, D2PAK (TO-263), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS: 831-2825Značka: InfineonČíslo dielu výrobcu: IRF5210STRLPBFDistrelec Article No.: 30284012
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

Infineon

Typ kanálu

P

Maximální stejnosměrný odběrový proud

38 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

100 V

Gehäusegröße

D2PAK (TO-263)

Řada

HEXFET

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

60 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

4V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

2V

Maximální ztrátový výkon

170 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

150 nC při 10 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Počet prvků na čip

1

Länge

10.67mm

Breite

9.65mm

Materiál tranzistoru

Si

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

4.83mm

Podrobnosti o výrobku

P-Channel Power MOSFET 100V až 150V, Infineon

Řada diskrétních tranzistorů MOSFET HEXFET® společnosti Infineon zahrnuje zařízení s kanálem P v povrchové montáži a v olovnatých obalech a tvarové faktory, které mohou řešit téměř všechny problémy s rozvržením desek a tepelným designem. Napříč měřítkem rozsahu rezistence vede ke ztrátám vedení, což návrhářům umožňuje zajistit optimální účinnost systému.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

€ 10,58

€ 2,116 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)

řada: HEXFETMOSFET IRF5210STRLPBF P-kanálový 38 A 100 V, D2PAK (TO-263), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Vyberte typ balenia

Štandardný

Vyberte typ balenia

Štandardný - each

Dostupné v násobkoch 5.

Výroba -

Dostupné v násobkoch 5.

Odporúča sa objednávanie vo veľkých množstvách. Položky sú zabalené tak, aby boli pripravené na vloženie do strojových zariadení, čím umožňujú zvýšenie efektivity vo výrobe.

5

Dostupné v násobkoch 5
5€ 10,58
10€ 21,16
15€ 31,74
20€ 42,32
25€ 52,90
30€ 63,48
35€ 74,06
40€ 84,64
45€ 95,22
50€ 105,80
55€ 116,38
60€ 126,96
65€ 137,54
70€ 148,12
75€ 158,70

€ 10,58

€ 2,116 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)

řada: HEXFETMOSFET IRF5210STRLPBF P-kanálový 38 A 100 V, D2PAK (TO-263), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Vyberte typ balenia

Štandardný

Vyberte typ balenia

Štandardný - each

Dostupné v násobkoch 5.

Výroba -

Dostupné v násobkoch 5.

Odporúča sa objednávanie vo veľkých množstvách. Položky sú zabalené tak, aby boli pripravené na vloženie do strojových zariadení, čím umožňujú zvýšenie efektivity vo výrobe.

5

Dostupné v násobkoch 5
5€ 10,58
10€ 21,16
15€ 31,74
20€ 42,32
25€ 52,90
30€ 63,48
35€ 74,06
40€ 84,64
45€ 95,22
50€ 105,80
55€ 116,38
60€ 126,96
65€ 137,54
70€ 148,12
75€ 158,70

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

Infineon

Typ kanálu

P

Maximální stejnosměrný odběrový proud

38 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

100 V

Gehäusegröße

D2PAK (TO-263)

Řada

HEXFET

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

60 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

4V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

2V

Maximální ztrátový výkon

170 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

150 nC při 10 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Počet prvků na čip

1

Länge

10.67mm

Breite

9.65mm

Materiál tranzistoru

Si

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

4.83mm

Podrobnosti o výrobku

P-Channel Power MOSFET 100V až 150V, Infineon

Řada diskrétních tranzistorů MOSFET HEXFET® společnosti Infineon zahrnuje zařízení s kanálem P v povrchové montáži a v olovnatých obalech a tvarové faktory, které mohou řešit téměř všechny problémy s rozvržením desek a tepelným designem. Napříč měřítkem rozsahu rezistence vede ke ztrátám vedení, což návrhářům umožňuje zajistit optimální účinnost systému.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more