řada: StrongIRFETMOSFET IRF60R217 N-kanálový 58 A 60 V, DPAK (TO-252), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
58 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
9.9 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3.7V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2.1V
Maximální ztrátový výkon
83 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
6.73mm
Počet prvků na čip
1
Maximální pracovní teplota
175 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
7.49mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
40 nC při 10 V
Höhe
2.39mm
Řada
StrongIRFET
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Podrobnosti o výrobku
Silné MOSFET™, Infineon
Řada StrongIRFET společnosti Infineon je optimalizována pro nízké přenosové moduly (zapnuto) a vysoké nároky na proud. Toto portfolio nabízí vylepšenou bránu, lavinu a dynamickou dv/dt robustnost ideální pro průmyslové nízkofrekvenční aplikace včetně pohonů, nástrojů napájení, měničů a správy baterií, kde je výkon a robustnost zásadní.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
10
P.O.A.
10
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
58 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
9.9 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3.7V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2.1V
Maximální ztrátový výkon
83 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
6.73mm
Počet prvků na čip
1
Maximální pracovní teplota
175 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
7.49mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
40 nC při 10 V
Höhe
2.39mm
Řada
StrongIRFET
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Podrobnosti o výrobku
Silné MOSFET™, Infineon
Řada StrongIRFET společnosti Infineon je optimalizována pro nízké přenosové moduly (zapnuto) a vysoké nároky na proud. Toto portfolio nabízí vylepšenou bránu, lavinu a dynamickou dv/dt robustnost ideální pro průmyslové nízkofrekvenční aplikace včetně pohonů, nástrojů napájení, měničů a správy baterií, kde je výkon a robustnost zásadní.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products