řada: DirectFET, HEXFETMOSFET IRF6643TRPBF N-kanálový 35 A 150 V, DirectFET izometrický
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
35 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
150 V
Řada
DirectFET, HEXFET
Gehäusegröße
DirectFET izometrický
Montage-Typ
Surface Mount
Maximální odpor kolektor/zdroj
34.5 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4.9V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Maximální ztrátový výkon
89 W
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
5.05mm
Počet prvků na čip
1
Länge
6.35mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
39 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Höhe
0.59mm
Betriebstemperatur min.
-40 °C
Propustné napětí diody
1.3V
Podrobnosti o výrobku
Digitální audio MOSFET, Infineon
Zesilovače třídy D se rychle stávají preferovaným řešením pro profesionální a domácí audio a video systémy. Infineon nabízí komplexní řadu, která zjednodušuje vysoce efektivní návrh zesilovače třídy D.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
P.O.A.
Each (In a Pack of 2) (bez DPH)
Štandardný
2
P.O.A.
Each (In a Pack of 2) (bez DPH)
Štandardný
2
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
35 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
150 V
Řada
DirectFET, HEXFET
Gehäusegröße
DirectFET izometrický
Montage-Typ
Surface Mount
Maximální odpor kolektor/zdroj
34.5 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4.9V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Maximální ztrátový výkon
89 W
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
5.05mm
Počet prvků na čip
1
Länge
6.35mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
39 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Höhe
0.59mm
Betriebstemperatur min.
-40 °C
Propustné napětí diody
1.3V
Podrobnosti o výrobku
Digitální audio MOSFET, Infineon
Zesilovače třídy D se rychle stávají preferovaným řešením pro profesionální a domácí audio a video systémy. Infineon nabízí komplexní řadu, která zjednodušuje vysoce efektivní návrh zesilovače třídy D.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products