DÔLEŽITÉ OZNÁMENIE O ZMENE PRÁVNEHO SUBJEKTU

1. apríla meníme právnu subjektivitu na RS Components GmbH, nové číslo VAT , ako aj bankové údaje.

Kliknutím sem získate všetky potrebné informácie.

řada: HEXFETMOSFET IRF7240TRPBF P-kanálový 10,5 A 40 V, SOIC, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS: 826-8835Značka: InfineonČíslo dielu výrobcu: IRF7240TRPBF
brand-logo
View all in MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

P

Maximální stejnosměrný odběrový proud

10.5 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

40 V

Gehäusegröße

SOIC, SOIC

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

8

Maximální odpor kolektor/zdroj

25 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

3V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

1V

Maximální ztrátový výkon

2.5 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Počet prvků na čip

1

Maximální pracovní teplota

150 °C

Länge

5mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

73 nC při 10 V

Breite

4mm

Materiál tranzistoru

Si

Řada

HEXFET

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

1.5mm

Podrobnosti o výrobku

Napájecí MOSFET s kanálem P 40 V až 55 V, Infineon

Řada diskrétních tranzistorů MOSFET HEXFET® společnosti Infineon zahrnuje zařízení s kanálem P v povrchové montáži a v olovnatých obalech a tvarové faktory, které mohou řešit téměř všechny problémy s rozvržením desek a tepelným designem. Napříč měřítkem rozsahu rezistence vede ke ztrátám vedení, což návrhářům umožňuje zajistit optimální účinnost systému.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

€ 1,25

Each (In a Pack of 10) (bez DPH)

řada: HEXFETMOSFET IRF7240TRPBF P-kanálový 10,5 A 40 V, SOIC, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si
Vyberte typ balenia

€ 1,25

Each (In a Pack of 10) (bez DPH)

řada: HEXFETMOSFET IRF7240TRPBF P-kanálový 10,5 A 40 V, SOIC, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Vyberte typ balenia

Kúpiť hromadne

množstvoJednotková cenaBalík
10 - 40€ 1,25€ 12,50
50 - 90€ 1,19€ 11,90
100 - 240€ 1,14€ 11,40
250 - 490€ 1,09€ 10,90
500+€ 1,01€ 10,10

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

P

Maximální stejnosměrný odběrový proud

10.5 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

40 V

Gehäusegröße

SOIC, SOIC

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

8

Maximální odpor kolektor/zdroj

25 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

3V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

1V

Maximální ztrátový výkon

2.5 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Počet prvků na čip

1

Maximální pracovní teplota

150 °C

Länge

5mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

73 nC při 10 V

Breite

4mm

Materiál tranzistoru

Si

Řada

HEXFET

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

1.5mm

Podrobnosti o výrobku

Napájecí MOSFET s kanálem P 40 V až 55 V, Infineon

Řada diskrétních tranzistorů MOSFET HEXFET® společnosti Infineon zahrnuje zařízení s kanálem P v povrchové montáži a v olovnatých obalech a tvarové faktory, které mohou řešit téměř všechny problémy s rozvržením desek a tepelným designem. Napříč měřítkem rozsahu rezistence vede ke ztrátám vedení, což návrhářům umožňuje zajistit optimální účinnost systému.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more