řada: HEXFETMOSFET IRF7316TRPBF P-kanálový 4,9 A 30 V, SOIC, počet kolíků: 8 dvojitý Izolovaný Si

Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
4.9 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Řada
HEXFET
Gehäusegröße
SOIC, SOIC
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
98 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
2 W
Konfigurace tranzistoru
Izolovaný
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
4mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
2
Länge
5mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
23 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Höhe
1.5mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
Thailand
Podrobnosti o výrobku
Napájecí MOSFET s kanálem P 30V, Infineon
Řada diskrétních tranzistorů MOSFET HEXFET® společnosti Infineon zahrnuje zařízení s kanálem P v povrchové montáži a v olovnatých obalech a tvarové faktory, které mohou řešit téměř všechny problémy s rozvržením desek a tepelným designem. Napříč měřítkem rozsahu rezistence vede ke ztrátám vedení, což návrhářům umožňuje zajistit optimální účinnost systému.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
€ 14,78
€ 0,739 Each (In a Pack of 20) (bez DPH)
Štandardný
20
€ 14,78
€ 0,739 Each (In a Pack of 20) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
20
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Množstvo | Jednotková cena | Balík |
---|---|---|
20 - 80 | € 0,739 | € 14,78 |
100 - 180 | € 0,702 | € 14,03 |
200 - 480 | € 0,672 | € 13,45 |
500 - 980 | € 0,628 | € 12,56 |
1000+ | € 0,591 | € 11,82 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
4.9 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Řada
HEXFET
Gehäusegröße
SOIC, SOIC
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
98 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
2 W
Konfigurace tranzistoru
Izolovaný
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
4mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
2
Länge
5mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
23 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Höhe
1.5mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
Thailand
Podrobnosti o výrobku
Napájecí MOSFET s kanálem P 30V, Infineon
Řada diskrétních tranzistorů MOSFET HEXFET® společnosti Infineon zahrnuje zařízení s kanálem P v povrchové montáži a v olovnatých obalech a tvarové faktory, které mohou řešit téměř všechny problémy s rozvržením desek a tepelným designem. Napříč měřítkem rozsahu rezistence vede ke ztrátám vedení, což návrhářům umožňuje zajistit optimální účinnost systému.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.