Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N, P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
5.3 A, 7.3 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
SOIC, SOIC
Řada
HEXFET
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
46 mΩ, 98 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
2.5 W
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Länge
5mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
22 nC při 10 V, 23 nC při 10 V
Materiál tranzistoru
Si
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Počet prvků na čip
2
Breite
4mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1.5mm
Podrobnosti o výrobku
Duální N/P-Channel Power MOSFET Infineon
Duální tranzistory MOSFET společnosti Infineon integrují dvě zařízení HEXFET®, která poskytují energeticky úsporná a nenákladná přepínací řešení v designu s vysokou hustotou součástek, kde je prostor na desce prvotřídní. K dispozici je celá řada možností balení a návrháři si mohou vybrat konfiguraci dvoukanálového kanálu N/P.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
€ 1 545,12
€ 0,386 Each (On a Reel of 4000) (bez DPH)
4000
€ 1 545,12
€ 0,386 Each (On a Reel of 4000) (bez DPH)
4000
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N, P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
5.3 A, 7.3 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
SOIC, SOIC
Řada
HEXFET
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
46 mΩ, 98 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
2.5 W
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Länge
5mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
22 nC při 10 V, 23 nC při 10 V
Materiál tranzistoru
Si
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Počet prvků na čip
2
Breite
4mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1.5mm
Podrobnosti o výrobku
Duální N/P-Channel Power MOSFET Infineon
Duální tranzistory MOSFET společnosti Infineon integrují dvě zařízení HEXFET®, která poskytují energeticky úsporná a nenákladná přepínací řešení v designu s vysokou hustotou součástek, kde je prostor na desce prvotřídní. K dispozici je celá řada možností balení a návrháři si mohou vybrat konfiguraci dvoukanálového kanálu N/P.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.