Aktuálne dodacie lehoty

Od 1. apríla 2025 vaše objednávky doručuje spoločnosť GLS. Všetky zásielky sa teraz budú doručovať cestnou dopravou. Väčšina objednávok bude doručená do 72 hodín.

Podrobné informácie

řada: HEXFETMOSFET IRF7507TRPBF N/P-kanálový-kanálový 1,7 A, 2,4 A 20 V, MSOP, počet kolíků: 8 dvojitý Izolovaný Si

Skladové číslo RS: 301-186Značka: InfineonČíslo dielu výrobcu: IRF7507TRPBFDistrelec Article No.: 30284021
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

N, P

Maximální stejnosměrný odběrový proud

1,7 A, 2,4 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

20 V

Gehäusegröße

Mini SO-10

Řada

HEXFET

Montage-Typ

Surface Mount

Počet kolíků

8

Maximální odpor kolektor/zdroj

140 mΩ, 270 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

0.7V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

0.7V

Maximální ztrátový výkon

1.25 W

Konfigurace tranzistoru

Isolated

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-12 V, +12 V

Počet prvků na čip

2

Länge

3mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

5,3 nC při 4,5 V, 5,4 nC při 4,5 V

Breite

3mm

Materiál tranzistoru

Si

Höhe

0.86mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Podrobnosti o výrobku

Duální N/P-Channel Power MOSFET Infineon

Duální tranzistory MOSFET společnosti Infineon integrují dvě zařízení HEXFET®, která poskytují energeticky úsporná a nenákladná přepínací řešení v designu s vysokou hustotou součástek, kde je prostor na desce prvotřídní. K dispozici je celá řada možností balení a návrháři si mohou vybrat konfiguraci dvoukanálového kanálu N/P.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

€ 0,64

€ 0,64 Each (bez DPH)

řada: HEXFETMOSFET IRF7507TRPBF N/P-kanálový-kanálový 1,7 A, 2,4 A 20 V, MSOP, počet kolíků: 8 dvojitý Izolovaný Si
Vyberte typ balenia

€ 0,64

€ 0,64 Each (bez DPH)

řada: HEXFETMOSFET IRF7507TRPBF N/P-kanálový-kanálový 1,7 A, 2,4 A 20 V, MSOP, počet kolíků: 8 dvojitý Izolovaný Si
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Vyberte typ balenia

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

N, P

Maximální stejnosměrný odběrový proud

1,7 A, 2,4 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

20 V

Gehäusegröße

Mini SO-10

Řada

HEXFET

Montage-Typ

Surface Mount

Počet kolíků

8

Maximální odpor kolektor/zdroj

140 mΩ, 270 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

0.7V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

0.7V

Maximální ztrátový výkon

1.25 W

Konfigurace tranzistoru

Isolated

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-12 V, +12 V

Počet prvků na čip

2

Länge

3mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

5,3 nC při 4,5 V, 5,4 nC při 4,5 V

Breite

3mm

Materiál tranzistoru

Si

Höhe

0.86mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Podrobnosti o výrobku

Duální N/P-Channel Power MOSFET Infineon

Duální tranzistory MOSFET společnosti Infineon integrují dvě zařízení HEXFET®, která poskytují energeticky úsporná a nenákladná přepínací řešení v designu s vysokou hustotou součástek, kde je prostor na desce prvotřídní. K dispozici je celá řada možností balení a návrháři si mohou vybrat konfiguraci dvoukanálového kanálu N/P.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more