řada: HEXFETMOSFET IRF7507TRPBF N/P-kanálový-kanálový 1,7 A, 2,4 A 20 V, MSOP, počet kolíků: 8 dvojitý Izolovaný Si

Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N, P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
1,7 A, 2,4 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
Mini SO-10
Řada
HEXFET
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
140 mΩ, 270 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
0.7V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.7V
Maximální ztrátový výkon
1.25 W
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-12 V, +12 V
Počet prvků na čip
2
Länge
3mm
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
5,3 nC při 4,5 V, 5,4 nC při 4,5 V
Breite
3mm
Materiál tranzistoru
Si
Höhe
0.86mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
Duální N/P-Channel Power MOSFET Infineon
Duální tranzistory MOSFET společnosti Infineon integrují dvě zařízení HEXFET®, která poskytují energeticky úsporná a nenákladná přepínací řešení v designu s vysokou hustotou součástek, kde je prostor na desce prvotřídní. K dispozici je celá řada možností balení a návrháři si mohou vybrat konfiguraci dvoukanálového kanálu N/P.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
€ 0,64
€ 0,64 Each (bez DPH)
Štandardný
1
€ 0,64
€ 0,64 Each (bez DPH)
Štandardný
1
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N, P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
1,7 A, 2,4 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
Mini SO-10
Řada
HEXFET
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
140 mΩ, 270 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
0.7V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.7V
Maximální ztrátový výkon
1.25 W
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-12 V, +12 V
Počet prvků na čip
2
Länge
3mm
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
5,3 nC při 4,5 V, 5,4 nC při 4,5 V
Breite
3mm
Materiál tranzistoru
Si
Höhe
0.86mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
Duální N/P-Channel Power MOSFET Infineon
Duální tranzistory MOSFET společnosti Infineon integrují dvě zařízení HEXFET®, která poskytují energeticky úsporná a nenákladná přepínací řešení v designu s vysokou hustotou součástek, kde je prostor na desce prvotřídní. K dispozici je celá řada možností balení a návrháři si mohou vybrat konfiguraci dvoukanálového kanálu N/P.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.