Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
375 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Řada
DirectFET, HEXFET
Gehäusegröße
DirectFET izometrický
Montage-Typ
Surface Mount
Maximální odpor kolektor/zdroj
1.5 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon
125 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
7.1mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Betriebstemperatur max.
175 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
9.15mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
200 nC při 10 V
Höhe
0.49mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.3V
Krajina pôvodu
Mexico
Podrobnosti o výrobku
DirectFET® Power MOSFET, Infineon
Napájecí sada DirectFET® je technologie balení MOSFET s povrchovou montáží. Technologie DirectFET® MOSFET je řešením, které snižuje ztráty energie a zároveň snižuje nároky na design v Advanced switching aplikacích.
Nejnižší odolnost v průmyslu v příslušných rozměrech
Extrémně nízká odolnost balíku, aby se minimalizovaly ztráty vedení
Vysoce účinné oboustranné chlazení výrazně zvyšuje hustotu, náklady a spolehlivost
Nízký profil pouze 0,7mm
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 2,16
Each (On a Reel of 4000) (bez DPH)
4000
€ 2,16
Each (On a Reel of 4000) (bez DPH)
4000
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
375 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Řada
DirectFET, HEXFET
Gehäusegröße
DirectFET izometrický
Montage-Typ
Surface Mount
Maximální odpor kolektor/zdroj
1.5 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon
125 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
7.1mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Betriebstemperatur max.
175 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
9.15mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
200 nC při 10 V
Höhe
0.49mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.3V
Krajina pôvodu
Mexico
Podrobnosti o výrobku
DirectFET® Power MOSFET, Infineon
Napájecí sada DirectFET® je technologie balení MOSFET s povrchovou montáží. Technologie DirectFET® MOSFET je řešením, které snižuje ztráty energie a zároveň snižuje nároky na design v Advanced switching aplikacích.
Nejnižší odolnost v průmyslu v příslušných rozměrech
Extrémně nízká odolnost balíku, aby se minimalizovaly ztráty vedení
Vysoce účinné oboustranné chlazení výrazně zvyšuje hustotu, náklady a spolehlivost
Nízký profil pouze 0,7mm
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.