DÔLEŽITÉ OZNÁMENIE O ZMENE PRÁVNEHO SUBJEKTU

1. apríla meníme právnu subjektivitu na RS Components GmbH, nové číslo VAT , ako aj bankové údaje.

Kliknutím sem získate všetky potrebné informácie.

řada: DirectFET, HEXFETMOSFET IRF7749L1TRPBF N-kanálový 375 A 60 V, DirectFET izometrický Jednoduchý Si

Skladové číslo RS: 165-8086Značka: InfineonČíslo dielu výrobcu: IRF7749L1TRPBF
brand-logo
View all in MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

375 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

60 V

Řada

DirectFET, HEXFET

Gehäusegröße

DirectFET izometrický

Montage-Typ

Surface Mount

Maximální odpor kolektor/zdroj

1.5 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální ztrátový výkon

125 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Breite

7.1mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Betriebstemperatur max.

175 °C

Materiál tranzistoru

Si

Länge

9.15mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

200 nC při 10 V

Höhe

0.49mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Propustné napětí diody

1.3V

Krajina pôvodu

Mexico

Podrobnosti o výrobku

DirectFET® Power MOSFET, Infineon

Napájecí sada DirectFET® je technologie balení MOSFET s povrchovou montáží. Technologie DirectFET® MOSFET je řešením, které snižuje ztráty energie a zároveň snižuje nároky na design v Advanced switching aplikacích.

Nejnižší odolnost v průmyslu v příslušných rozměrech
Extrémně nízká odolnost balíku, aby se minimalizovaly ztráty vedení
Vysoce účinné oboustranné chlazení výrazně zvyšuje hustotu, náklady a spolehlivost
Nízký profil pouze 0,7mm

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

€ 2,16

Each (On a Reel of 4000) (bez DPH)

řada: DirectFET, HEXFETMOSFET IRF7749L1TRPBF N-kanálový 375 A 60 V, DirectFET izometrický Jednoduchý Si

€ 2,16

Each (On a Reel of 4000) (bez DPH)

řada: DirectFET, HEXFETMOSFET IRF7749L1TRPBF N-kanálový 375 A 60 V, DirectFET izometrický Jednoduchý Si
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

375 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

60 V

Řada

DirectFET, HEXFET

Gehäusegröße

DirectFET izometrický

Montage-Typ

Surface Mount

Maximální odpor kolektor/zdroj

1.5 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální ztrátový výkon

125 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Breite

7.1mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Betriebstemperatur max.

175 °C

Materiál tranzistoru

Si

Länge

9.15mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

200 nC při 10 V

Höhe

0.49mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Propustné napětí diody

1.3V

Krajina pôvodu

Mexico

Podrobnosti o výrobku

DirectFET® Power MOSFET, Infineon

Napájecí sada DirectFET® je technologie balení MOSFET s povrchovou montáží. Technologie DirectFET® MOSFET je řešením, které snižuje ztráty energie a zároveň snižuje nároky na design v Advanced switching aplikacích.

Nejnižší odolnost v průmyslu v příslušných rozměrech
Extrémně nízká odolnost balíku, aby se minimalizovaly ztráty vedení
Vysoce účinné oboustranné chlazení výrazně zvyšuje hustotu, náklady a spolehlivost
Nízký profil pouze 0,7mm

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more