Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
6.8 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Gehäusegröße
DDPAK
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
480 m Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
3.8 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Maximální pracovní teplota
175 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
10.67mm
Breite
9.65mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
27 nC při 10 V
Řada
HEXFET
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
4.83mm
P.O.A.
Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Štandardný
5
P.O.A.
Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
5
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
6.8 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Gehäusegröße
DDPAK
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
480 m Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
3.8 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Maximální pracovní teplota
175 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
10.67mm
Breite
9.65mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
27 nC při 10 V
Řada
HEXFET
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
4.83mm


