řada: HEXFETMOSFET IRF9952TRPBF N/P-kanálový-kanálový 2,3 A, 3,5 A 30 V, SOIC, počet kolíků: 8 dvojitý Izolovaný Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N, P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
2.3 A, 3.5 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Řada
HEXFET
Gehäusegröße
SOIC, SOIC
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
150 mΩ, 400 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
2 W
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
4mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
2
Länge
5mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
6,1 nC při 10 V, 6,9 nC při 10 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Höhe
1.5mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
Duální N/P-Channel Power MOSFET Infineon
Duální tranzistory MOSFET společnosti Infineon integrují dvě zařízení HEXFET®, která poskytují energeticky úsporná a nenákladná přepínací řešení v designu s vysokou hustotou součástek, kde je prostor na desce prvotřídní. K dispozici je celá řada možností balení a návrháři si mohou vybrat konfiguraci dvoukanálového kanálu N/P.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 1 141,44
€ 0,285 Each (On a Reel of 4000) (bez DPH)
4000
€ 1 141,44
€ 0,285 Each (On a Reel of 4000) (bez DPH)
4000
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N, P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
2.3 A, 3.5 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Řada
HEXFET
Gehäusegröße
SOIC, SOIC
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
150 mΩ, 400 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
2 W
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
4mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
2
Länge
5mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
6,1 nC při 10 V, 6,9 nC při 10 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Höhe
1.5mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
Duální N/P-Channel Power MOSFET Infineon
Duální tranzistory MOSFET společnosti Infineon integrují dvě zařízení HEXFET®, která poskytují energeticky úsporná a nenákladná přepínací řešení v designu s vysokou hustotou součástek, kde je prostor na desce prvotřídní. K dispozici je celá řada možností balení a návrháři si mohou vybrat konfiguraci dvoukanálového kanálu N/P.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products