řada: HEXFETMOSFET IRFB4019PBF N-kanálový 17 A 150 V, TO-220AB, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
17 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
150 V
Řada
HEXFET
Gehäusegröße
TO-220, TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
95 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4.9V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Maximální ztrátový výkon
80 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
4.82mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
10.66mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
13 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
175 °C
Höhe
9.02mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
Digitální audio MOSFET, Infineon
Zesilovače třídy D se rychle stávají preferovaným řešením pro profesionální a domácí audio a video systémy. Infineon nabízí komplexní řadu, která zjednodušuje vysoce efektivní návrh zesilovače třídy D.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 8,41
€ 1,682 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
5
€ 8,41
€ 1,682 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
5
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
| množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 1,682 | € 8,41 |
| 25 - 45 | € 1,398 | € 6,99 |
| 50 - 95 | € 1,26 | € 6,30 |
| 100 - 245 | € 1,126 | € 5,63 |
| 250+ | € 1,032 | € 5,16 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
17 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
150 V
Řada
HEXFET
Gehäusegröße
TO-220, TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
95 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4.9V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Maximální ztrátový výkon
80 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
4.82mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
10.66mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
13 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
175 °C
Höhe
9.02mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
Digitální audio MOSFET, Infineon
Zesilovače třídy D se rychle stávají preferovaným řešením pro profesionální a domácí audio a video systémy. Infineon nabízí komplexní řadu, která zjednodušuje vysoce efektivní návrh zesilovače třídy D.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products