Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
25 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
200 V
Řada
HEXFET
Gehäusegröße
TO-220, TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
73 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Maximální ztrátový výkon
14 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
4.83mm
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
175 °C
Materiál tranzistoru
Si
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
25 nC při 10 V
Länge
10.67mm
Höhe
9.02mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
Mexico
Podrobnosti o výrobku
Digitální audio MOSFET, Infineon
Zesilovače třídy D se rychle stávají preferovaným řešením pro profesionální a domácí audio a video systémy. Infineon nabízí komplexní řadu, která zjednodušuje vysoce efektivní návrh zesilovače třídy D.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 2,27
Each (In a Tube of 50) (bez DPH)
50
€ 2,27
Each (In a Tube of 50) (bez DPH)
50
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena | Tuba |
---|---|---|
50 - 50 | € 2,27 | € 113,50 |
100 - 200 | € 1,84 | € 92,00 |
250 - 450 | € 1,72 | € 86,00 |
500 - 950 | € 1,61 | € 80,50 |
1000+ | € 1,50 | € 75,00 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
25 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
200 V
Řada
HEXFET
Gehäusegröße
TO-220, TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
73 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Maximální ztrátový výkon
14 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
4.83mm
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
175 °C
Materiál tranzistoru
Si
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
25 nC při 10 V
Länge
10.67mm
Höhe
9.02mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
Mexico
Podrobnosti o výrobku
Digitální audio MOSFET, Infineon
Zesilovače třídy D se rychle stávají preferovaným řešením pro profesionální a domácí audio a video systémy. Infineon nabízí komplexní řadu, která zjednodušuje vysoce efektivní návrh zesilovače třídy D.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.