řada: HEXFETMOSFET IRFH5304TRPBF N-kanálový 79 A 30 V, PQFN 5 x 6, počet kolíků: 8
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
79 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
PQFN 5 x 6
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
6,8 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.35V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.35V
Maximální ztrátový výkon
46 W
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
5mm
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Länge
6mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
41 nC při 15 V
Höhe
0.85mm
Řada
HEXFET
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1V
Podrobnosti o výrobku
N-Channel Power MOSFET 30V, Infineon
Řada Infineon diskrétních tranzistorů MOSFET HEXFET® obsahuje zařízení N-channel v povrchové montáži a v olovnatých obalech. A tvarové faktory, které mohou řešit téměř všechny problémy s uspořádáním desek a tepelným designem. Napříč měřítkem rozsahu rezistence vede ke ztrátám vedení, což návrhářům umožňuje zajistit optimální účinnost systému.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
P.O.A.
Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
Štandardný
10
P.O.A.
Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
10
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
79 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
PQFN 5 x 6
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
6,8 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.35V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.35V
Maximální ztrátový výkon
46 W
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
5mm
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Länge
6mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
41 nC při 15 V
Höhe
0.85mm
Řada
HEXFET
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1V
Podrobnosti o výrobku
N-Channel Power MOSFET 30V, Infineon
Řada Infineon diskrétních tranzistorů MOSFET HEXFET® obsahuje zařízení N-channel v povrchové montáži a v olovnatých obalech. A tvarové faktory, které mohou řešit téměř všechny problémy s uspořádáním desek a tepelným designem. Napříč měřítkem rozsahu rezistence vede ke ztrátám vedení, což návrhářům umožňuje zajistit optimální účinnost systému.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products