řada: HEXFETMOSFET IRFI4019H-117P N-kanálový 8.7 A 150 V, TO-220, počet kolíků: 5 dvojitý Sériové zapojení Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
8.7 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
150 V
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
5
Maximální odpor kolektor/zdroj
95 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4.9V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Maximální ztrátový výkon
18 W
Konfigurace tranzistoru
Series
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Materiál tranzistoru
Si
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
13 nC při 10 V
Počet prvků na čip
2
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Länge
10.67mm
Breite
4.83mm
Höhe
9.02mm
Betriebstemperatur min.
-40 °C
Řada
HEXFET
Podrobnosti o výrobku
Digitální audio MOSFET, Infineon
Zesilovače třídy D se rychle stávají preferovaným řešením pro profesionální a domácí audio a video systémy. Infineon nabízí komplexní řadu, která zjednodušuje vysoce efektivní návrh zesilovače třídy D.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
P.O.A.
Each (In a Pack of 2) (bez DPH)
2
P.O.A.
Each (In a Pack of 2) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
2
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
8.7 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
150 V
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
5
Maximální odpor kolektor/zdroj
95 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4.9V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Maximální ztrátový výkon
18 W
Konfigurace tranzistoru
Series
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Materiál tranzistoru
Si
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
13 nC při 10 V
Počet prvků na čip
2
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Länge
10.67mm
Breite
4.83mm
Höhe
9.02mm
Betriebstemperatur min.
-40 °C
Řada
HEXFET
Podrobnosti o výrobku
Digitální audio MOSFET, Infineon
Zesilovače třídy D se rychle stávají preferovaným řešením pro profesionální a domácí audio a video systémy. Infineon nabízí komplexní řadu, která zjednodušuje vysoce efektivní návrh zesilovače třídy D.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products