Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
12 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
110 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
41 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
4.83mm
Počet prvků na čip
1
Maximální pracovní teplota
175 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
10.75mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
44 nC při 10 V
Höhe
9.8mm
Řada
HEXFET
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
50
P.O.A.
50
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
12 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
110 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
41 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
4.83mm
Počet prvků na čip
1
Maximální pracovní teplota
175 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
10.75mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
44 nC při 10 V
Höhe
9.8mm
Řada
HEXFET
Betriebstemperatur min.
-55 °C