řada: HEXFETMOSFET IRFL014NPBF N-kanálový 2,7 A 55 V, SOT-223, počet kolíků: 3 + Tab Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
2.7 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
55 V
Gehäusegröße
SOT223
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3 + Tab
Maximální odpor kolektor/zdroj
160 m Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
2.1 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
3.7mm
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
6.7mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
7 nC při 10 V
Počet prvků na čip
1
Höhe
1.7mm
Řada
HEXFET
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový výkon MOSFET 55 V, Infineon
Řada diskrétních tranzistorů MOSFET HEXFET® společnosti Infineon zahrnuje zařízení N-channel v povrchové montáži a v olovnatých obalech a v provedení, které mohou řešit téměř všechny problémy s rozvržením desek a tepelným designem. Napříč měřítkem rozsahu rezistence vede ke ztrátám vedení, což návrhářům umožňuje zajistit optimální účinnost systému.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
P.O.A.
Each (In a Tube of 80) (bez DPH)
80
P.O.A.
Each (In a Tube of 80) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
80
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
2.7 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
55 V
Gehäusegröße
SOT223
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3 + Tab
Maximální odpor kolektor/zdroj
160 m Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
2.1 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
3.7mm
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
6.7mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
7 nC při 10 V
Počet prvků na čip
1
Höhe
1.7mm
Řada
HEXFET
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový výkon MOSFET 55 V, Infineon
Řada diskrétních tranzistorů MOSFET HEXFET® společnosti Infineon zahrnuje zařízení N-channel v povrchové montáži a v olovnatých obalech a v provedení, které mohou řešit téměř všechny problémy s rozvržením desek a tepelným designem. Napříč měřítkem rozsahu rezistence vede ke ztrátám vedení, což návrhářům umožňuje zajistit optimální účinnost systému.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products