DÔLEŽITÉ OZNÁMENIE O ZMENE PRÁVNEHO SUBJEKTU

1. apríla meníme právnu subjektivitu na RS Components GmbH, nové číslo VAT , ako aj bankové údaje.

Kliknutím sem získate všetky potrebné informácie.

řada: HEXFETMOSFET IRFP150NPBF N-kanálový 42 A 100 V, TO-247AC, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS: 919-4873Značka: InfineonČíslo dielu výrobcu: IRFP150NPBF
brand-logo
View all in MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

42 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

100 V

Řada

HEXFET

Gehäusegröße

TO-247AC

Montage-Typ

Through Hole

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

36 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

4V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

2V

Maximální ztrátový výkon

160 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Maximální pracovní teplota

175 °C

Länge

15.9mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

110 nC při 10 V

Breite

5.3mm

Materiál tranzistoru

Si

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

20.3mm

Krajina pôvodu

Mexico

Podrobnosti o výrobku

N-Channel Power MOSFET 100V, Infineon

Řada Infineon diskrétních tranzistorů MOSFET HEXFET® obsahuje zařízení N-channel v povrchové montáži a v olovnatých obalech. A tvarové faktory, které mohou řešit téměř všechny problémy s uspořádáním desek a tepelným designem. Napříč měřítkem rozsahu rezistence vede ke ztrátám vedení, což návrhářům umožňuje zajistit optimální účinnost systému.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

€ 1,35

Each (In a Tube of 25) (bez DPH)

řada: HEXFETMOSFET IRFP150NPBF N-kanálový 42 A 100 V, TO-247AC, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

€ 1,35

Each (In a Tube of 25) (bez DPH)

řada: HEXFETMOSFET IRFP150NPBF N-kanálový 42 A 100 V, TO-247AC, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Kúpiť hromadne

množstvoJednotková cenaTuba
25 - 25€ 1,35€ 33,75
50 - 100€ 1,29€ 32,25
125 - 225€ 1,23€ 30,75
250 - 600€ 1,18€ 29,50
625+€ 1,09€ 27,25

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

42 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

100 V

Řada

HEXFET

Gehäusegröße

TO-247AC

Montage-Typ

Through Hole

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

36 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

4V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

2V

Maximální ztrátový výkon

160 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Maximální pracovní teplota

175 °C

Länge

15.9mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

110 nC při 10 V

Breite

5.3mm

Materiál tranzistoru

Si

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

20.3mm

Krajina pôvodu

Mexico

Podrobnosti o výrobku

N-Channel Power MOSFET 100V, Infineon

Řada Infineon diskrétních tranzistorů MOSFET HEXFET® obsahuje zařízení N-channel v povrchové montáži a v olovnatých obalech. A tvarové faktory, které mohou řešit téměř všechny problémy s uspořádáním desek a tepelným designem. Napříč měřítkem rozsahu rezistence vede ke ztrátám vedení, což návrhářům umožňuje zajistit optimální účinnost systému.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more