DÔLEŽITÉ OZNÁMENIE O ZMENE PRÁVNEHO SUBJEKTU

1. apríla meníme právnu subjektivitu na RS Components GmbH, nové číslo VAT , ako aj bankové údaje.

Kliknutím sem získate všetky potrebné informácie.

řada: HEXFETMOSFET IRFP250MPBF N-kanálový 30 A 200 V, TO-247AC, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS: 124-8762Značka: InfineonČíslo dielu výrobcu: IRFP250MPBF
brand-logo
View all in MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

30 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

200 V

Řada

HEXFET

Gehäusegröße

TO-247AC

Montage-Typ

Through Hole

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

75 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

4V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

2V

Maximální ztrátový výkon

214 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Breite

5.2mm

Počet prvků na čip

1

Betriebstemperatur max.

175 °C

Materiál tranzistoru

Si

Länge

16.13mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

123 nC při 10 V

Höhe

21.1mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Krajina pôvodu

China

Podrobnosti o výrobku

N-kanálový napájecí MOSFET 150 V až 600 V, Infineon

Řada diskrétních tranzistorů MOSFET HEXFET® společnosti Infineon zahrnuje zařízení N-channel v povrchové montáži a v olovnatých obalech a v provedení, které mohou řešit téměř všechny problémy s rozvržením desek a tepelným designem. Napříč měřítkem rozsahu rezistence vede ke ztrátám vedení, což návrhářům umožňuje zajistit optimální účinnost systému.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

€ 1,72

Each (In a Tube of 25) (bez DPH)

řada: HEXFETMOSFET IRFP250MPBF N-kanálový 30 A 200 V, TO-247AC, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

€ 1,72

Each (In a Tube of 25) (bez DPH)

řada: HEXFETMOSFET IRFP250MPBF N-kanálový 30 A 200 V, TO-247AC, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Kúpiť hromadne

množstvoJednotková cenaTuba
25 - 25€ 1,72€ 43,00
50 - 100€ 1,38€ 34,50
125 - 225€ 1,29€ 32,25
250 - 600€ 1,19€ 29,75
625+€ 1,10€ 27,50

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

30 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

200 V

Řada

HEXFET

Gehäusegröße

TO-247AC

Montage-Typ

Through Hole

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

75 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

4V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

2V

Maximální ztrátový výkon

214 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Breite

5.2mm

Počet prvků na čip

1

Betriebstemperatur max.

175 °C

Materiál tranzistoru

Si

Länge

16.13mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

123 nC při 10 V

Höhe

21.1mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Krajina pôvodu

China

Podrobnosti o výrobku

N-kanálový napájecí MOSFET 150 V až 600 V, Infineon

Řada diskrétních tranzistorů MOSFET HEXFET® společnosti Infineon zahrnuje zařízení N-channel v povrchové montáži a v olovnatých obalech a v provedení, které mohou řešit téměř všechny problémy s rozvržením desek a tepelným designem. Napříč měřítkem rozsahu rezistence vede ke ztrátám vedení, což návrhářům umožňuje zajistit optimální účinnost systému.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more